Памяць | Інтэгральныя схемы (ІС) | 22

MSM5117400F-60TDR1L

частка акцыі: 4230

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (4M x 4), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 110ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MR44V064AMAZAAB

частка акцыі: 4585

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 3.4MHz,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5118165F-60T3K-MT

частка акцыі: 5785

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (1M x 16),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM51V18165F-60T3

частка акцыі: 9097

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 104ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5118160F-60J3-7

частка акцыі: 9130

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (1M x 16),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5117405F-60J3-7

частка акцыі: 9045

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (4M x 4),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5117400F-60J3-7

частка акцыі: 9041

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (4M x 4), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 110ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MD51V65165E-50TAZ0AR

частка акцыі: 9114

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 64Mb (4M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 84ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5118165F-60J3-7

частка акцыі: 9101

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (1M x 16),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM51V18165F-60J3-7

частка акцыі: 9146

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (1M x 16), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 104ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MR45V032AMAZBATL

частка акцыі: 2759

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 32Kb (4K x 8), Часавая частата: 15MHz,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5117405F-60T-DKX

частка акцыі: 6956

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (4M x 4),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5118160F-60T3K-MT

частка акцыі: 7416

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (1M x 16),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5117400F-60T3-K-7

частка акцыі: 7945

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (4M x 4), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 110ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM51V17400F-60TDKX

частка акцыі: 9193

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (4M x 4), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 110ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM5412222B-25TK-MTL

частка акцыі: 9000

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 3Mb (256K x 12), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM51V18160F-60T3-K7

частка акцыі: 8322

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (1M x 16),

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MR48V256ATAZBARL

частка акцыі: 12577

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 150ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM51V17405F-60T3-K

частка акцыі: 10649

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: DRAM, Памер памяці: 16Mb (4M x 4), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 104ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MR45V256AMAZAAT-L

частка акцыі: 18207

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 256Kb (32K x 8), Часавая частата: 15MHz,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MR44V100AMAZAATL

частка акцыі: 219

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 3.4MHz,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MR45V100AMAZAATL

частка акцыі: 214

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 1Mb (128K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MD56V62160M-7TAZ0AX

частка акцыі: 16646

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM, Памер памяці: 64Mb (4M x 16), Часавая частата: 143MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 7ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MSM56V16160K8T3K

частка акцыі: 2745

Тып памяці: Volatile, Фармат памяці: DRAM, Тэхналогія: SDRAM, Памер памяці: 16Mb (512K x 16 x 2), Часавая частата: 125MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 70ns,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MR44V064BMAZAATL

частка акцыі: 10765

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 3.4MHz,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

MR45V064BMAZAATL

частка акцыі: 167

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FRAM, Тэхналогія: FRAM (Ferroelectric RAM), Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 40MHz,

Ліст з жаданняў