Памяць | Інтэгральныя схемы (ІС) | 22

BR93L46FJ-WE2

частка акцыі: 156164

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 2MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR93L46RF-WE2

частка акцыі: 126840

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 2MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR93L46RFJ-WE2

частка акцыі: 158516

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 2MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR93L46F-WE2

частка акцыі: 111222

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (64 x 16), Часавая частата: 2MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-DS6TP

частка акцыі: 101049

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-RDS6TP

частка акцыі: 138174

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24L02FVJ-WE2

частка акцыі: 104003

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24L01AFVJ-WE2

частка акцыі: 135261

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-WDS6TP

частка акцыі: 132380

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-DS6TP

частка акцыі: 123492

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-WDS6TP

частка акцыі: 120822

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-RDS6TP

частка акцыі: 120529

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR93H86RFVT-2CE2

частка акцыі: 9999

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (1K x 16), Часавая частата: 2MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 4ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24G128FVJ-3GTE2

частка акцыі: 193792

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-WMN6TP

частка акцыі: 166730

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-RMN6TP

частка акцыі: 184058

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-WMN6TP

частка акцыі: 116140

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-RMN6TP

частка акцыі: 197791

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-MN6TP

частка акцыі: 162860

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24L01AFJ-WE2

частка акцыі: 106977

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24G128FVT-3GE2

частка акцыі: 162307

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24T64NUX-WTR

частка акцыі: 147210

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-10TU-1.8

частка акцыі: 172416

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-WDW6TP

частка акцыі: 146715

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-DW6TP

частка акцыі: 144046

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-10TU-2.7

частка акцыі: 125457

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-DW6TP

частка акцыі: 109825

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C01-RDW6TP

частка акцыі: 138700

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 10ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24C02-WDW6TP

частка акцыі: 152498

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR93H76RFJ-2CE2

частка акцыі: 10840

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (512 x 16), Часавая частата: 2MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 4ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24G64FJ-3AGTE2

частка акцыі: 128145

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24G64FVJ-3AGTE2

частка акцыі: 153346

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 1MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24G64FJ-3GTE2

частка акцыі: 101861

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 64Kb (8K x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR25G128F-3GE2

частка акцыі: 78

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 128Kb (16K x 8), Часавая частата: 20MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR93L56RFVM-WTR

частка акцыі: 146474

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (128 x 16), Часавая частата: 2MHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў

Rohm Semiconductor

BR24L02FVM-WTR

частка акцыі: 113430

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 400kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў