Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

ERA-2HEB8250P

ERA-2HEB8250P

частка акцыі: 7332

Супраціўленне: 825 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB5491P

ERA-2HEB5491P

частка акцыі: 7257

Супраціўленне: 5.49 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC60R4P

ERA-2HEC60R4P

частка акцыі: 7832

Супраціўленне: 60.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB2370P

ERA-2HEB2370P

частка акцыі: 7083

Супраціўленне: 237 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1072P

ERA-2HEB1072P

частка акцыі: 6954

Супраціўленне: 10.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB2670P

ERA-2HEB2670P

частка акцыі: 7086

Супраціўленне: 267 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB2200P

ERA-2HEB2200P

частка акцыі: 7088

Супраціўленне: 220 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1002P

ERA-2HEC1002P

частка акцыі: 7389

Супраціўленне: 10 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB52R3P

ERA-2HEB52R3P

частка акцыі: 7199

Супраціўленне: 52.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1911P

ERA-2HEC1911P

частка акцыі: 7609

Супраціўленне: 1.91 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB3301P

ERA-2HEB3301P

частка акцыі: 7117

Супраціўленне: 3.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1021P

ERA-2HEC1021P

частка акцыі: 7435

Супраціўленне: 1.02 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1131P

ERA-2HEC1131P

частка акцыі: 7420

Супраціўленне: 1.13 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1180P

ERA-2HEC1180P

частка акцыі: 7438

Супраціўленне: 118 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB9761P

ERA-2HEB9761P

частка акцыі: 7371

Супраціўленне: 9.76 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB4701P

ERA-2HEB4701P

частка акцыі: 7228

Супраціўленне: 4.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1472P

ERA-2HEB1472P

частка акцыі: 7054

Супраціўленне: 14.7 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB97R6P

ERA-2HEB97R6P

частка акцыі: 7419

Супраціўленне: 97.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB5621P

ERA-2HEB5621P

частка акцыі: 7279

Супраціўленне: 5.62 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB3010P

ERA-2HEB3010P

частка акцыі: 7168

Супраціўленне: 301 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1821P

ERA-2HEC1821P

частка акцыі: 7532

Супраціўленне: 1.82 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1960P

ERA-2HEC1960P

частка акцыі: 7541

Супраціўленне: 196 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1912P

ERA-2HEC1912P

частка акцыі: 7366

Супраціўленне: 19.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1242P

ERA-2HEB1242P

частка акцыі: 6991

Супраціўленне: 12.4 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC5231P

ERA-2HEC5231P

частка акцыі: 7794

Супраціўленне: 5.23 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC6191P

ERA-2HEC6191P

частка акцыі: 2840

Супраціўленне: 6.19 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC6811P

ERA-2HEC6811P

частка акцыі: 7878

Супраціўленне: 6.81 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB2611P

ERA-2HEB2611P

частка акцыі: 7172

Супраціўленне: 2.61 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC2100P

ERA-2HEC2100P

частка акцыі: 7621

Супраціўленне: 210 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB8450P

ERA-2HEB8450P

частка акцыі: 7345

Супраціўленне: 845 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB2400P

ERA-2HEB2400P

частка акцыі: 7148

Супраціўленне: 240 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC4320P

ERA-2HEC4320P

частка акцыі: 7759

Супраціўленне: 432 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1580P

ERA-2HEC1580P

частка акцыі: 2812

Супраціўленне: 158 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1331P

ERA-2HEB1331P

частка акцыі: 6963

Супраціўленне: 1.33 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1471P

ERA-2HEC1471P

частка акцыі: 7547

Супраціўленне: 1.47 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC53R6P

ERA-2HEC53R6P

частка акцыі: 7872

Супраціўленне: 53.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,