Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

ERA-2HEB68R1P

ERA-2HEB68R1P

частка акцыі: 7331

Супраціўленне: 68.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC2101P

ERA-2HEC2101P

частка акцыі: 7650

Супраціўленне: 2.1 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB3321P

ERA-2HEB3321P

частка акцыі: 2761

Супраціўленне: 3.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1691P

ERA-2HEB1691P

частка акцыі: 7006

Супраціўленне: 1.69 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC3600P

ERA-2HEC3600P

частка акцыі: 7676

Супраціўленне: 360 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC2670P

ERA-2HEC2670P

частка акцыі: 7648

Супраціўленне: 267 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC5230P

ERA-2HEC5230P

частка акцыі: 7330

Супраціўленне: 523 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB5231P

ERA-2HEB5231P

частка акцыі: 7230

Супраціўленне: 5.23 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC2490P

ERA-2HEC2490P

частка акцыі: 7605

Супраціўленне: 249 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB3241P

ERA-2HEB3241P

частка акцыі: 7190

Супраціўленне: 3.24 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1402P

ERA-2HEC1402P

частка акцыі: 2762

Супраціўленне: 14 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1100P

ERA-2HEC1100P

частка акцыі: 7441

Супраціўленне: 110 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1132P

ERA-2HEB1132P

частка акцыі: 6998

Супраціўленне: 11.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1651P

ERA-2HEC1651P

частка акцыі: 7591

Супраціўленне: 1.65 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC7680P

ERA-2HEC7680P

частка акцыі: 7931

Супраціўленне: 768 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC3301P

ERA-2HEC3301P

частка акцыі: 7739

Супраціўленне: 3.3 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC5111P

ERA-2HEC5111P

частка акцыі: 7843

Супраціўленне: 5.11 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC48R7P

ERA-2HEC48R7P

частка акцыі: 7820

Супраціўленне: 48.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC2611P

ERA-2HEC2611P

частка акцыі: 7633

Супраціўленне: 2.61 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1402P

ERA-2HEB1402P

частка акцыі: 7000

Супраціўленне: 14 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1740P

ERA-2HEC1740P

частка акцыі: 7584

Супраціўленне: 174 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB8061P

ERA-2HEB8061P

частка акцыі: 7351

Супраціўленне: 8.06 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB6340P

ERA-2HEB6340P

частка акцыі: 7256

Супраціўленне: 634 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB3400P

ERA-2HEB3400P

частка акцыі: 7156

Супраціўленне: 340 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB8451P

ERA-2HEB8451P

частка акцыі: 7342

Супраціўленне: 8.45 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB7321P

ERA-2HEB7321P

частка акцыі: 7301

Супраціўленне: 7.32 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC7871P

ERA-2HEC7871P

частка акцыі: 7956

Супраціўленне: 7.87 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB7501P

ERA-2HEB7501P

частка акцыі: 7354

Супраціўленне: 7.5 kOhms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1620P

ERA-2HEB1620P

частка акцыі: 7089

Супраціўленне: 162 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB49R9P

ERA-2HEB49R9P

частка акцыі: 7195

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB1270P

ERA-2HEB1270P

частка акцыі: 7032

Супраціўленне: 127 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC2431P

ERA-2HEC2431P

частка акцыі: 7635

Супраціўленне: 2.43 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB6190P

ERA-2HEB6190P

частка акцыі: 7296

Супраціўленне: 619 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC3011P

ERA-2HEC3011P

частка акцыі: 7664

Супраціўленне: 3.01 kOhms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEB3300P

ERA-2HEB3300P

частка акцыі: 7137

Супраціўленне: 330 Ohms, Талерантнасць: ±0.1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,

ERA-2HEC1000P

ERA-2HEC1000P

частка акцыі: 7412

Супраціўленне: 100 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±25ppm/°C,