частка акцыі: 9183
Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 50V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 100mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 Ohm @ 10mA, 2.5V,