Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя

2N3906,116

частка акцыі: 5579

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

2N3904,116

частка акцыі: 6652

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 200mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 40V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 50nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

2PC4617Q,115

частка акцыі: 5468

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

2PC4617R,135

частка акцыі: 5379

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

2PA1774R,135

частка акцыі: 5423

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

2PB710AS,115

частка акцыі: 5386

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

2PD602AS,115

частка акцыі: 6613

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 500mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Ток - адсек калектара (макс.): 10nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

2PA1774Q,115

частка акцыі: 5401

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

2PA1774S,115

частка акцыі: 5461

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V,

2PC4617R,115

частка акцыі: 5106

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

2PA1774R,115

частка акцыі: 5096

Тып транзістара: PNP, Ток - калектар (Ic) (макс.): 150mA, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 50V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Ток - адсек калектара (макс.): 100nA (ICBO), Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

BUK9Y7R6-40E/GFX

частка акцыі: 7173

BUK9Y43-60E/GFX

частка акцыі: 7125

BUK9Y41-80E/GFX

частка акцыі: 7094

BUK9Y3R0-40E/GFX

частка акцыі: 7166

BUK9Y3R0-40E/CX

частка акцыі: 7117

BUK9Y30-75B/C1,115

частка акцыі: 7109

BUK9Y29-40E/CX

частка акцыі: 7165

BUK9Y25-60E/GFX

частка акцыі: 5705

BUK9Y11-30B/C1,115

частка акцыі: 7151

BUK9Y12-40E/GFX

частка акцыі: 6766

BUK9675-100A/C1J

частка акцыі: 7080

BUK9K29-100E/CX

частка акцыі: 7151

BUK7Y7R6-40E/GFX

частка акцыі: 7163

BUK7Y43-60E/GFX

частка акцыі: 6751

BSR16/LF1R

частка акцыі: 7100

BUK7Y41-80E/GFX

частка акцыі: 7129

BCP69-16/DG,115

частка акцыі: 7103

BC856W/ZLX

частка акцыі: 6758

BUK768R1-40E/GFJ

частка акцыі: 7163

BUK763R9-60E/GFJ

частка акцыі: 7139

BUK762R9-40E/GFJ

частка акцыі: 7143

BUK762R6-40E/GFJ

частка акцыі: 7110

BC857QASX

частка акцыі: 7160

BUT12AX,127

частка акцыі: 7164

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 8A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 450V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 5A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

BUT11APX-1200,127

частка акцыі: 7072

Тып транзістара: NPN, Ток - калектар (Ic) (макс.): 6A, Напружанне - прабой выпраменьвальніка калектара (макс.): 550V, Насычанасць Vce (макс.) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A, Ток - адсек калектара (макс.): 1mA, Каэфіцыент узмацнення пастаяннага току (hFE) (мін.) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,