Фіксаваныя індуктыўнасці

LQH32DN2R2M23L

LQH32DN2R2M23L

частка акцыі: 103232

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

LQH32CN100K23L

LQH32CN100K23L

частка акцыі: 107632

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQP18MN12NG02D

LQP18MN12NG02D

частка акцыі: 198675

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 12nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 150mA,

LQH32DN4R7M53L

LQH32DN4R7M53L

частка акцыі: 178765

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 650mA,

LQH32MN390J23L

LQH32MN390J23L

частка акцыі: 106056

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 39µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 110mA,

LQH32DN1R0M23L

LQH32DN1R0M23L

частка акцыі: 112154

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQM18PN1R0NC0L

LQM18PN1R0NC0L

частка акцыі: 169015

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQH32DN3R3M23L

LQH32DN3R3M23L

частка акцыі: 185419

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 530mA,

LQH32CN2R2M33L

LQH32CN2R2M33L

частка акцыі: 119046

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 790mA,

LQM2HPN2R2MG0L

LQM2HPN2R2MG0L

частка акцыі: 127282

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

LQM2HPN3R3MG0L

LQM2HPN3R3MG0L

частка акцыі: 132017

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQM2HPN1R0MG0L

LQM2HPN1R0MG0L

частка акцыі: 109105

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.6A,

LQH32MN561K23L

LQH32MN561K23L

частка акцыі: 116587

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 560µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 40mA,

LQP18MN2N7C02D

LQP18MN2N7C02D

частка акцыі: 136822

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 2.7nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 250mA,

LQM18PN1R5NB0L

LQM18PN1R5NB0L

частка акцыі: 160025

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 600mA,

LQH32MN680K23L

LQH32MN680K23L

частка акцыі: 112789

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 80mA,

LQH32DN100K53L

LQH32DN100K53L

частка акцыі: 197611

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 450mA, Ток - насычэнне: 450mA,

LQH32MN471J23L

LQH32MN471J23L

частка акцыі: 135230

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 45mA,

LQP18MN27NG02D

LQP18MN27NG02D

частка акцыі: 116748

Тып: Thick Film, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 27nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

LQH32DN1R0M53L

LQH32DN1R0M53L

частка акцыі: 127722

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1A,

LQH32MN151K23L

LQH32MN151K23L

частка акцыі: 171756

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 150µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 70mA,

LQH32MN181J23L

LQH32MN181J23L

частка акцыі: 155310

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 180µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 65mA,

LQM21PN1R5MCHD

LQM21PN1R5MCHD

частка акцыі: 160661

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.1A, Ток - насычэнне: 400mA,

LQW2BASR24G00L

LQW2BASR24G00L

частка акцыі: 192089

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 240nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 350mA,

LQW18AN83NG8ZD

LQW18AN83NG8ZD

частка акцыі: 191094

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 83nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 550mA,

LQW18AN8N4C8ZD

LQW18AN8N4C8ZD

частка акцыі: 165764

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 8.4nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1.6A,

LQW18AN28NG8ZD

LQW18AN28NG8ZD

частка акцыі: 195576

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 28nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQW2BASR39J00L

LQW2BASR39J00L

частка акцыі: 124439

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 390nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 290mA,

LQH2MPN100MGRL

LQH2MPN100MGRL

частка акцыі: 165859

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 480mA, Ток - насычэнне: 610mA,

LQW15AN7N3H00D

LQW15AN7N3H00D

частка акцыі: 151011

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 7.3nH, Талерантнасць: ±3%, Бягучы рэйтынг: 570mA,

LQW2BAS56NJ00L

LQW2BAS56NJ00L

частка акцыі: 167608

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Air, Індуктыўнасць: 56nH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 500mA,

LQW18AN9N9G8ZD

LQW18AN9N9G8ZD

частка акцыі: 143638

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 9.9nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 1.6A,

LQW18AN4N7G8ZD

LQW18AN4N7G8ZD

частка акцыі: 142703

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.7nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

LQW18AN6N5C8ZD

LQW18AN6N5C8ZD

частка акцыі: 154192

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 6.5nH, Талерантнасць: ±0.2nH, Бягучы рэйтынг: 1.9A,

LQW18AN4N2B8ZD

LQW18AN4N2B8ZD

частка акцыі: 176067

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 4.2nH, Талерантнасць: ±0.1nH, Бягучы рэйтынг: 2.2A,

LQW18AN30NG8ZD

LQW18AN30NG8ZD

частка акцыі: 165501

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Non-Magnetic, Індуктыўнасць: 30nH, Талерантнасць: ±2%, Бягучы рэйтынг: 1.1A,