Фіксаваныя індуктыўнасці

LQH2MPZ1R0NGRL

LQH2MPZ1R0NGRL

частка акцыі: 141821

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 1.55A,

LQH3NPN470MMRE

LQH3NPN470MMRE

частка акцыі: 103679

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 460mA, Ток - насычэнне: 320mA,

LQH2MPZ100MGRL

LQH2MPZ100MGRL

частка акцыі: 102791

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 480mA, Ток - насычэнне: 610mA,

LQH2MCN270K02L

LQH2MCN270K02L

частка акцыі: 164797

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 27µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 180mA,

LQM2MPNR47MG0L

LQM2MPNR47MG0L

частка акцыі: 173988

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQH2MPZR47NGRL

LQH2MPZR47NGRL

частка акцыі: 108686

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 470nH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.06A, Ток - насычэнне: 1.95A,

LQM18PZ2R2MCHD

LQM18PZ2R2MCHD

частка акцыі: 169886

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA, Ток - насычэнне: 200mA,

LQM2HPN4R7MGCL

LQM2HPN4R7MGCL

частка акцыі: 126181

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQH3NPN220MMEL

LQH3NPN220MMEL

частка акцыі: 195058

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 540mA, Ток - насычэнне: 570mA,

LQM21PN1R0NGCD

LQM21PN1R0NGCD

частка акцыі: 176183

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQH2MPZ4R7MGRL

LQH2MPZ4R7MGRL

частка акцыі: 191721

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 580mA, Ток - насычэнне: 870mA,

LQM31PN4R7M00L

LQM31PN4R7M00L

частка акцыі: 155845

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA,

LQM2HPN1R0MJ0L

LQM2HPN1R0MJ0L

частка акцыі: 171244

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

LQM2MPN2R2NG0L

LQM2MPN2R2NG0L

частка акцыі: 152218

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQM21PNR54MG0D

LQM21PNR54MG0D

частка акцыі: 144967

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 540nH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

LQM21PZ4R7NGRD

LQM21PZ4R7NGRD

частка акцыі: 117276

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQM2MPN1R5MG0L

LQM2MPN1R5MG0L

частка акцыі: 114863

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQH3NPN4R7MMRE

LQH3NPN4R7MMRE

частка акцыі: 161739

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.4A, Ток - насычэнне: 950mA,

LQH32CN2R2M53L

LQH32CN2R2M53L

частка акцыі: 129409

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 790mA,

#FSLM2520-820J=P2

#FSLM2520-820J=P2

частка акцыі: 190311

Тып: Wirewound, Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±5%, Бягучы рэйтынг: 65mA,

LQM2MPN1R5NG0L

LQM2MPN1R5NG0L

частка акцыі: 178465

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQH3NPN3R3MMEL

LQH3NPN3R3MMEL

частка акцыі: 114653

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.15A, Ток - насычэнне: 1.52A,

LQM18PZ2R5NCHD

LQM18PZ2R5NCHD

частка акцыі: 128955

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 900mA, Ток - насычэнне: 100mA,

LQH2MCN390K02L

LQH2MCN390K02L

частка акцыі: 165395

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 39µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 125mA,

LQH32CN3R3M53L

LQH32CN3R3M53L

частка акцыі: 163169

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 710mA,

LQH2MCN1R5M02L

LQH2MCN1R5M02L

частка акцыі: 134316

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 445mA,

LQH2MCN330K02L

LQH2MCN330K02L

частка акцыі: 179833

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 160mA,

LQH3NPN1R0MMRE

LQH3NPN1R0MMRE

частка акцыі: 175484

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 2.15A, Ток - насычэнне: 1.6A,

LQM18PN1R5MFRL

LQM18PN1R5MFRL

частка акцыі: 140679

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1.5µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQH32CN470K53L

LQH32CN470K53L

частка акцыі: 146087

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 47µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 170mA,

LQM2MPN3R3NG0L

LQM2MPN3R3NG0L

частка акцыі: 194031

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQH2MPZ6R8MGRL

LQH2MPZ6R8MGRL

частка акцыі: 157493

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 530mA, Ток - насычэнне: 730mA,

LQH32CN150K53L

LQH32CN150K53L

частка акцыі: 142611

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 300mA,

LQM31PN2R2M00L

LQM31PN2R2M00L

частка акцыі: 152765

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 900mA,

LQM18PN2R2MFRL

LQM18PN2R2MFRL

частка акцыі: 139063

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQH2MCN1R0M02L

LQH2MCN1R0M02L

частка акцыі: 114827

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 485mA,