Фіксаваныя індуктыўнасці

LQH2MCN820K02L

LQH2MCN820K02L

частка акцыі: 130993

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 90mA,

LQM21PN4R7NGRD

LQM21PN4R7NGRD

частка акцыі: 145180

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQM21PN2R2NGCD

LQM21PN2R2NGCD

частка акцыі: 194759

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQH2MPZ680MGRL

LQH2MPZ680MGRL

частка акцыі: 173066

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 160mA, Ток - насычэнне: 230mA,

LQM2HPN2R2MJ0L

LQM2HPN2R2MJ0L

частка акцыі: 147775

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

LQM18PN3R3MFRL

LQM18PN3R3MFRL

частка акцыі: 147559

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 700mA,

LQH2MCN5R6M02L

LQH2MCN5R6M02L

частка акцыі: 138459

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 5.6µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 280mA,

LQM2HPN3R3MGSL

LQM2HPN3R3MGSL

частка акцыі: 163494

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.05A,

LQH3NPN6R8MMRE

LQH3NPN6R8MMRE

частка акцыі: 105932

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 6.8µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.25A, Ток - насычэнне: 830mA,

LQH32CN680K53L

LQH32CN680K53L

частка акцыі: 180597

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 68µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 130mA,

LQM18PZ2R2MDHD

LQM18PZ2R2MDHD

частка акцыі: 129347

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.2µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA, Ток - насычэнне: 250mA,

LQM18PNR22NFRL

LQM18PNR22NFRL

частка акцыі: 145306

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 220nH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.25A,

LQH2MPZ3R3MGRL

LQH2MPZ3R3MGRL

частка акцыі: 161896

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 640mA, Ток - насычэнне: 1.02A,

LQH32CN101K53L

LQH32CN101K53L

частка акцыі: 104326

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 100mA,

LQH2MCN3R3M02L

LQH2MCN3R3M02L

частка акцыі: 112940

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 375mA,

LQH32CN220K53L

LQH32CN220K53L

частка акцыі: 195724

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 250mA,

LQH3NPN101MMEL

LQH3NPN101MMEL

частка акцыі: 156733

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 100µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 270mA, Ток - насычэнне: 260mA,

LQM31PN1R0M00L

LQM31PN1R0M00L

частка акцыі: 179831

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.2A,

LQM2HPN3R3MGCL

LQM2HPN3R3MGCL

частка акцыі: 171996

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

LQM21PN1R0NGRD

LQM21PN1R0NGRD

частка акцыі: 189717

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 1.3A,

LQH2MCN220K02L

LQH2MCN220K02L

частка акцыі: 135422

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 185mA,

LQH3NPN100MMEL

LQH3NPN100MMEL

частка акцыі: 103183

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 10µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA, Ток - насычэнне: 810mA,

LQM21PN4R7MGSD

LQM21PN4R7MGSD

частка акцыі: 198865

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA,

LQH3NPN330MMEL

LQH3NPN330MMEL

частка акцыі: 157422

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 460mA, Ток - насычэнне: 440mA,

LQH2MPZ150MGRL

LQH2MPZ150MGRL

частка акцыі: 198305

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 340mA, Ток - насычэнне: 490mA,

LQM2HPN1R0MGCL

LQM2HPN1R0MGCL

частка акцыі: 112107

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1.5A,

LQM18PZ1R0MCHD

LQM18PZ1R0MCHD

частка акцыі: 187783

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 1µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 950mA, Ток - насычэнне: 600mA,

LQH3NPN220MMRE

LQH3NPN220MMRE

частка акцыі: 177813

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 22µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 750mA, Ток - насычэнне: 430mA,

LQH2MCN150K02L

LQH2MCN150K02L

частка акцыі: 185899

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 15µH, Талерантнасць: ±10%, Бягучы рэйтынг: 200mA,

LQH2MPZ330MGRL

LQH2MPZ330MGRL

частка акцыі: 101998

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 33µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 200mA, Ток - насычэнне: 310mA,

LQH32CN4R7M53L

LQH32CN4R7M53L

частка акцыі: 100643

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 650mA,

LQH2MPZ820MGRL

LQH2MPZ820MGRL

частка акцыі: 131849

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 82µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 150mA, Ток - насычэнне: 210mA,

LQM2HPN3R3MJ0L

LQM2HPN3R3MJ0L

частка акцыі: 132052

Тып: Multilayer, Індуктыўнасць: 3.3µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A,

LQH3NPN4R7MMEL

LQH3NPN4R7MMEL

частка акцыі: 179685

Тып: Wirewound, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 1A, Ток - насычэнне: 1.3A,

LQM21PN4R7MGRD

LQM21PN4R7MGRD

частка акцыі: 173558

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 4.7µH, Талерантнасць: ±20%, Бягучы рэйтынг: 800mA,

LQM18PN2R5ND0D

LQM18PN2R5ND0D

частка акцыі: 176865

Тып: Multilayer, Матэрыял - стрыжань: Ferrite, Індуктыўнасць: 2.5µH, Талерантнасць: ±30%, Бягучы рэйтынг: 700mA,