Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Памяць

11LC040T-I/MNY
Microchip Technology

11LC040T-I/MNY

частка акцыі: 156561

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA040T-I/MS
Microchip Technology

11AA040T-I/MS

частка акцыі: 119690

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC040T-I/MS
Microchip Technology

11LC040T-I/MS

частка акцыі: 180076

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA160T-I/SN
Microchip Technology

11AA160T-I/SN

частка акцыі: 104888

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC160T-I/SN
Microchip Technology

11LC160T-I/SN

частка акцыі: 140448

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC010-I/MS
Microchip Technology

11LC010-I/MS

частка акцыі: 189256

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA010-I/MS
Microchip Technology

11AA010-I/MS

частка акцыі: 182183

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA040-I/SN
Microchip Technology

11AA040-I/SN

частка акцыі: 127212

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC040-I/SN
Microchip Technology

11LC040-I/SN

частка акцыі: 155848

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020T-I/MNY
Microchip Technology

11LC020T-I/MNY

частка акцыі: 136181

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA161T-I/TT
Microchip Technology

11AA161T-I/TT

частка акцыі: 181742

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA020-I/MS
Microchip Technology

11AA020-I/MS

частка акцыі: 167792

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA020T-I/MS
Microchip Technology

11AA020T-I/MS

частка акцыі: 155456

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA080T-I/SN
Microchip Technology

11AA080T-I/SN

частка акцыі: 188730

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC160T-I/TT
Microchip Technology

11LC160T-I/TT

частка акцыі: 171430

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA160T-I/TT
Microchip Technology

11AA160T-I/TT

частка акцыі: 108791

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC010T-E/SN
Microchip Technology

11LC010T-E/SN

частка акцыі: 101444

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC161T-I/TT
Microchip Technology

11LC161T-I/TT

частка акцыі: 173910

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020-I/MS
Microchip Technology

11LC020-I/MS

частка акцыі: 117480

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA020T-I/MNY
Microchip Technology

11AA020T-I/MNY

частка акцыі: 120097

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC010-E/SN
Microchip Technology

11LC010-E/SN

частка акцыі: 150572

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020T-I/MS
Microchip Technology

11LC020T-I/MS

частка акцыі: 109292

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC080T-I/SN
Microchip Technology

11LC080T-I/SN

частка акцыі: 164289

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC080-I/SN
Microchip Technology

11LC080-I/SN

частка акцыі: 166910

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA080-I/SN
Microchip Technology

11AA080-I/SN

частка акцыі: 136931

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020T-E/TT
Microchip Technology

11LC020T-E/TT

частка акцыі: 134787

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA010-I/TO
Microchip Technology

11AA010-I/TO

частка акцыі: 197612

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA020-I/SN
Microchip Technology

11AA020-I/SN

частка акцыі: 117883

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020-I/SN
Microchip Technology

11LC020-I/SN

частка акцыі: 108616

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC010T-I/MNY
Microchip Technology

11LC010T-I/MNY

частка акцыі: 120443

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC040T-I/SN
Microchip Technology

11LC040T-I/SN

частка акцыі: 145387

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA010T-I/MS
Microchip Technology

11AA010T-I/MS

частка акцыі: 172716

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC080T-I/TT
Microchip Technology

11LC080T-I/TT

частка акцыі: 193390

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA010T-I/MNY
Microchip Technology

11AA010T-I/MNY

частка акцыі: 127586

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA040T-I/SN
Microchip Technology

11AA040T-I/SN

частка акцыі: 127093

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA020-I/TO
Microchip Technology

11AA020-I/TO

частка акцыі: 108373

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў