Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Памяць

11AA160-I/MS
Microchip Technology

11AA160-I/MS

частка акцыі: 126761

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA161T-I/MS
Microchip Technology

11AA161T-I/MS

частка акцыі: 155233

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020-E/MS
Microchip Technology

11LC020-E/MS

частка акцыі: 112796

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA160-I/SN
Microchip Technology

11AA160-I/SN

частка акцыі: 144080

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA080-I/TO
Microchip Technology

11AA080-I/TO

частка акцыі: 195895

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020-I/P
Microchip Technology

11LC020-I/P

частка акцыі: 114612

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA020-I/P
Microchip Technology

11AA020-I/P

частка акцыі: 124202

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC040-I/MS
Microchip Technology

11LC040-I/MS

частка акцыі: 195163

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC040T-E/SN
Microchip Technology

11LC040T-E/SN

частка акцыі: 170822

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA080T-I/MS
Microchip Technology

11AA080T-I/MS

частка акцыі: 171124

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC010T-E/MS
Microchip Technology

11LC010T-E/MS

частка акцыі: 133386

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC040-E/SN
Microchip Technology

11LC040-E/SN

частка акцыі: 195044

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC010T-E/MNY
Microchip Technology

11LC010T-E/MNY

частка акцыі: 145959

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC161-I/TO
Microchip Technology

11LC161-I/TO

частка акцыі: 177670

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA080T-I/MNY
Microchip Technology

11AA080T-I/MNY

частка акцыі: 166206

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC080-I/MS
Microchip Technology

11LC080-I/MS

частка акцыі: 195446

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC080T-E/TT
Microchip Technology

11LC080T-E/TT

частка акцыі: 187199

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC010-E/MS
Microchip Technology

11LC010-E/MS

частка акцыі: 155915

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC080T-I/MNY
Microchip Technology

11LC080T-I/MNY

частка акцыі: 166957

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA040-I/P
Microchip Technology

11AA040-I/P

частка акцыі: 148916

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC080T-I/MS
Microchip Technology

11LC080T-I/MS

частка акцыі: 145991

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA080-I/MS
Microchip Technology

11AA080-I/MS

частка акцыі: 116395

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 8Kb (1K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA161-I/TO
Microchip Technology

11AA161-I/TO

частка акцыі: 129980

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA040-I/TO
Microchip Technology

11AA040-I/TO

частка акцыі: 115800

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC010-I/P
Microchip Technology

11LC010-I/P

частка акцыі: 188853

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA010-I/P
Microchip Technology

11AA010-I/P

частка акцыі: 135252

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 1Kb (128 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020-E/SN
Microchip Technology

11LC020-E/SN

частка акцыі: 157521

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC040T-E/TT
Microchip Technology

11LC040T-E/TT

частка акцыі: 135518

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA040-I/MS
Microchip Technology

11AA040-I/MS

частка акцыі: 134728

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA040T-I/MNY
Microchip Technology

11AA040T-I/MNY

частка акцыі: 128708

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 4Kb (512 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC161-I/SN
Microchip Technology

11LC161-I/SN

частка акцыі: 182416

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC020T-E/SN
Microchip Technology

11LC020T-E/SN

частка акцыі: 160311

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 2Kb (256 x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC160-I/SN
Microchip Technology

11LC160-I/SN

частка акцыі: 122271

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA161T-I/SN
Microchip Technology

11AA161T-I/SN

частка акцыі: 138359

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11AA161-I/SN
Microchip Technology

11AA161-I/SN

частка акцыі: 171435

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў
11LC161T-I/SN
Microchip Technology

11LC161T-I/SN

частка акцыі: 116839

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: EEPROM, Тэхналогія: EEPROM, Памер памяці: 16Kb (2K x 8), Часавая частата: 100kHz, Напісаць час цыкла - слова, старонка: 5ms,

Ліст з жаданняў