Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZT52C10-TP

BZT52C10-TP

частка акцыі: 110953

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C10-TP

BZX84C10-TP

частка акцыі: 145294

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C5V1S-TP

BZT52C5V1S-TP

частка акцыі: 136472

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84B15-TP

BZX84B15-TP

частка акцыі: 168502

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZV55C3V6-TP

BZV55C3V6-TP

частка акцыі: 163119

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZV55C33-TP

BZV55C33-TP

частка акцыі: 136182

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 24V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZV55C11-TP

BZV55C11-TP

частка акцыі: 132791

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZT52C2V4-TP

BZT52C2V4-TP

частка акцыі: 5175

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZV55C5V1-TP

BZV55C5V1-TP

частка акцыі: 140316

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 35 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZT52C11-TP

BZT52C11-TP

частка акцыі: 4989

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C24LP-TP

BZT52C24LP-TP

частка акцыі: 119929

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZV55C9V1-TP

BZV55C9V1-TP

частка акцыі: 167416

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZT52C10T-TP

BZT52C10T-TP

частка акцыі: 146432

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 200nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C12-TP

BZX84C12-TP

частка акцыі: 116484

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C39-TP

BZX84C39-TP

частка акцыі: 118740

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C5V6-TP

BZT52C5V6-TP

частка акцыі: 129770

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C18-TP

BZT52C18-TP

частка акцыі: 172372

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C33-TP

BZX84C33-TP

частка акцыі: 112934

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C12T-TP

BZT52C12T-TP

частка акцыі: 178404

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V9-TP

BZT52C3V9-TP

частка акцыі: 182328

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C12-TP

BZT52C12-TP

частка акцыі: 171800

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V3-TP

BZX84C3V3-TP

частка акцыі: 162441

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 83 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C5V1-TP

BZX84C5V1-TP

частка акцыі: 184725

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.1V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZV55C15-TP

BZV55C15-TP

частка акцыі: 168933

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZX84B6V2-TP

BZX84B6V2-TP

частка акцыі: 117619

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C5V6LP-TP

BZT52C5V6LP-TP

частка акцыі: 100260

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMSZ4706-TP

MMSZ4706-TP

частка акцыі: 134251

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 10mA,

MMSZ5251B-TP

MMSZ5251B-TP

частка акцыі: 181667

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 29 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 17V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

MMBZ5228B-TP

MMBZ5228B-TP

частка акцыі: 152522

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 23 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA,

SMAJ4745A-TP

SMAJ4745A-TP

частка акцыі: 106547

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 16 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 12.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA,

SMBJ5372B-TP

SMBJ5372B-TP

частка акцыі: 117628

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 42 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 47.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

SMBJ5356B-TP

SMBJ5356B-TP

частка акцыі: 128509

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 19V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 14.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

MMSZ4682-TP

MMSZ4682-TP

частка акцыі: 197840

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 10mA,

SMBJ5376B-TP

SMBJ5376B-TP

частка акцыі: 119638

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 87V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 5W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 75 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 66V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A,

MMBZ5242B-TP

MMBZ5242B-TP

частка акцыі: 105776

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100mA,

SMAZ27-TP

SMAZ27-TP

частка акцыі: 153338

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 20.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,