Дыёды - РФ

BAP51-02-TP

BAP51-02-TP

частка акцыі: 190340

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 60V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 2.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 715mW,

BAP64-04W-TP

BAP64-04W-TP

частка акцыі: 115663

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 175V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.5pF @ 1V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 200mW,

BAP50-03-TP

BAP50-03-TP

частка акцыі: 148227

Дыёдны тып: PIN - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 50V, Ток - Макс: 50mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.35pF @ 5V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 5 Ohm @ 10mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 200mW,

BAP64-05-TP

BAP64-05-TP

частка акцыі: 107735

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Common Cathode, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 175V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 250mW,

BAP64-05W-TP

BAP64-05W-TP

частка акцыі: 155299

Дыёдны тып: PIN - 1 Pair Common Cathode, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 175V, Ток - Макс: 100mA, Ёмістасць @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, Супраціў @ Калі, Ф: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, Рассейванне магутнасці (макс.): 200mW,

MMBD301-TP

MMBD301-TP

частка акцыі: 111015

Дыёдны тып: Schottky - Single, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 30V, Рассейванне магутнасці (макс.): 200mW,