Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZT52B12JS-TP

BZT52B12JS-TP

частка акцыі: 179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V6T-TP

BZT52C3V6T-TP

частка акцыі: 178990

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B4V3-TP

BZT52B4V3-TP

частка акцыі: 182488

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B5V6-TP

BZT52B5V6-TP

частка акцыі: 195783

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C4V7T-TP

BZT52C4V7T-TP

частка акцыі: 181251

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C27T-TP

BZT52C27T-TP

частка акцыі: 149508

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C11-TP

BZX84C11-TP

частка акцыі: 148393

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B51-TP

BZT52B51-TP

частка акцыі: 178766

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 38V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V3S-TP

BZT52C3V3S-TP

частка акцыі: 127957

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C2V7S-TP

BZT52C2V7S-TP

частка акцыі: 143731

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B43-TP

BZT52B43-TP

частка акцыі: 144577

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 43V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 32V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B12-TP

BZT52B12-TP

частка акцыі: 115912

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C3V9-TP

BZX84C3V9-TP

частка акцыі: 159159

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V3-TP

BZT52C3V3-TP

частка акцыі: 118807

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C7V5-TP

BZT52C7V5-TP

частка акцыі: 153775

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V0T-TP

BZT52C3V0T-TP

частка акцыі: 155691

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 250mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C18-TP

BZX84C18-TP

частка акцыі: 142550

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C24T-TP

BZT52C24T-TP

частка акцыі: 162738

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 16.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B10-TP

BZT52B10-TP

частка акцыі: 156109

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 7.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V6-TP

BZT52C3V6-TP

частка акцыі: 140869

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B8V2-TP

BZT52B8V2-TP

частка акцыі: 131854

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C8V2-TP

BZT52C8V2-TP

частка акцыі: 163751

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B20-TP

BZT52B20-TP

частка акцыі: 137039

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C3V0S-TP

BZT52C3V0S-TP

частка акцыі: 130335

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZX84C6V2-TP

BZX84C6V2-TP

частка акцыі: 192731

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 350mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B2V7-TP

BZT52B2V7-TP

частка акцыі: 160499

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 83 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 75µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B27-TP

BZT52B27-TP

частка акцыі: 130436

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 20V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C27S-TP

BZT52C27S-TP

частка акцыі: 186358

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52B75JS-TP

BZT52B75JS-TP

частка акцыі: 130

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZT52C39T-TP

BZT52C39T-TP

частка акцыі: 183546

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 100mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 130 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 27.3V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10mA,

BZV55C16-TP

BZV55C16-TP

частка акцыі: 160042

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZV55C3V3-TP

BZV55C3V3-TP

частка акцыі: 193805

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZV55C30-TP

BZV55C30-TP

частка акцыі: 133761

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±7%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 22V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZV55C3V9-TP

BZV55C3V9-TP

частка акцыі: 187844

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZV55C13-TP

BZV55C13-TP

частка акцыі: 189896

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 26 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,

BZV55C20-TP

BZV55C20-TP

частка акцыі: 163196

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±6%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 200mA,