Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

LFSC3GA40E-6FFN1152C

LFSC3GA40E-6FFN1152C

частка акцыі: 181

Колькасць LAB / CLB: 10000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 40000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4075520, Колькасць уводу-вываду: 604, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFEC3E-4FN256I

LFEC3E-4FN256I

частка акцыі: 9901

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3100, Усяго біт аператыўнай памяці: 56320, Колькасць уводу-вываду: 160, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP6E-4QN208C

LFECP6E-4QN208C

частка акцыі: 33

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6100, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 147, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP10E-3FN484C

LFECP10E-3FN484C

частка акцыі: 199

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10200, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 288, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP15C-3F256I

LFXP15C-3F256I

частка акцыі: 8426

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 331776, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFXP10C-4FN388C

LFXP10C-4FN388C

частка акцыі: 8440

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10000, Усяго біт аператыўнай памяці: 221184, Колькасць уводу-вываду: 244, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFXP6C-3FN256I

LFXP6C-3FN256I

частка акцыі: 9104

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6000, Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO2280C-4FT256I

LCMXO2280C-4FT256I

частка акцыі: 7093

Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 211, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO3LF-6900E-6MG256I

LCMXO3LF-6900E-6MG256I

частка акцыі: 6178

Колькасць LAB / CLB: 858, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6864, Усяго біт аператыўнай памяці: 245760, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP33E-4FN484C

LFECP33E-4FN484C

частка акцыі: 8145

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32800, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA115E-6FFN1152I

LFSC3GA115E-6FFN1152I

частка акцыі: 940

Колькасць LAB / CLB: 28750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 115000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7987200, Колькасць уводу-вываду: 660, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFXP20E-5FN388C

LFXP20E-5FN388C

частка акцыі: 8648

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 20000, Усяго біт аператыўнай памяці: 405504, Колькасць уводу-вываду: 268, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP6E-3FN256I

LFXP6E-3FN256I

частка акцыі: 9188

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6000, Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP2-5E-5M132I

LFXP2-5E-5M132I

частка акцыі: 8868

Колькасць LAB / CLB: 625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 5000, Усяго біт аператыўнай памяці: 169984, Колькасць уводу-вываду: 86, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO1200C-3BN256C

LCMXO1200C-3BN256C

частка акцыі: 6159

Колькасць LAB / CLB: 150, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1200, Усяго біт аператыўнай памяці: 9421, Колькасць уводу-вываду: 211, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO2-2000HC-6TG144C

LCMXO2-2000HC-6TG144C

частка акцыі: 6126

Колькасць LAB / CLB: 264, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2112, Усяго біт аператыўнай памяці: 75776, Колькасць уводу-вываду: 111, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,

LFEC33E-5FN672C

LFEC33E-5FN672C

частка акцыі: 650

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32800, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 496, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP2-30E-6FT256I

LFXP2-30E-6FT256I

частка акцыі: 8755

Колькасць LAB / CLB: 3625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 201, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP10E-4QN208I

LFECP10E-4QN208I

частка акцыі: 354

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10200, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 147, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFEC33E-4FN672I

LFEC33E-4FN672I

частка акцыі: 687

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32800, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 496, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-20E-7F484C

LFE2-20E-7F484C

частка акцыі: 7423

Колькасць LAB / CLB: 2625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 21000, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 331, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP3C-5T100C

LFXP3C-5T100C

частка акцыі: 8964

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3000, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 62, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFE2M50E-6F484I

LFE2M50E-6F484I

частка акцыі: 7663

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 270, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP15C-3FN388C

LFXP15C-3FN388C

частка акцыі: 8910

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 331776, Колькасць уводу-вываду: 268, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFE2-12E-6F484C

LFE2-12E-6F484C

частка акцыі: 7340

Колькасць LAB / CLB: 1500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 12000, Усяго біт аператыўнай памяці: 226304, Колькасць уводу-вываду: 297, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFEC10E-4QN208I

LFEC10E-4QN208I

частка акцыі: 164

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10200, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 147, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP6E-4FN484I

LFECP6E-4FN484I

частка акцыі: 122

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6100, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 224, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA40E-5FFN1152C

LFSC3GA40E-5FFN1152C

частка акцыі: 138

Колькасць LAB / CLB: 10000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 40000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4075520, Колькасць уводу-вываду: 604, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LCMXO1200E-3MN132C

LCMXO1200E-3MN132C

частка акцыі: 6564

Колькасць LAB / CLB: 150, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1200, Усяго біт аператыўнай памяці: 9421, Колькасць уводу-вываду: 101, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO2280C-5FT256C

LCMXO2280C-5FT256C

частка акцыі: 7136

Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 211, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFECP6E-3TN144C

LFECP6E-3TN144C

частка акцыі: 8194

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6100, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 97, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP3C-4TN144C

LFXP3C-4TN144C

частка акцыі: 8912

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3000, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 100, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO640C-3T100C

LCMXO640C-3T100C

частка акцыі: 7244

Колькасць LAB / CLB: 80, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 640, Колькасць уводу-вываду: 74, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFXP15C-4FN484C

LFXP15C-4FN484C

частка акцыі: 8460

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15000, Усяго біт аператыўнай памяці: 331776, Колькасць уводу-вываду: 300, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFXP3E-4TN144C

LFXP3E-4TN144C

частка акцыі: 9099

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3000, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 100, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA115E-6FFN1704I

LFSC3GA115E-6FFN1704I

частка акцыі: 945

Колькасць LAB / CLB: 28750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 115000, Усяго біт аператыўнай памяці: 7987200, Колькасць уводу-вываду: 942, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,