Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

LCMXO640C-5FT256C

LCMXO640C-5FT256C

частка акцыі: 7327

Колькасць LAB / CLB: 80, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 640, Колькасць уводу-вываду: 159, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFEC15E-3FN484I

LFEC15E-3FN484I

частка акцыі: 422

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15400, Усяго біт аператыўнай памяці: 358400, Колькасць уводу-вываду: 352, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP15E-4FN256C

LFECP15E-4FN256C

частка акцыі: 406

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15400, Усяго біт аператыўнай памяці: 358400, Колькасць уводу-вываду: 195, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP3E-4TN100C

LFXP3E-4TN100C

частка акцыі: 9004

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3000, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 62, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M50SE-5F672C

LFE2M50SE-5F672C

частка акцыі: 8789

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 4246528, Колькасць уводу-вываду: 372, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2-50E-5F484I

LFE2-50E-5F484I

частка акцыі: 9211

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 48000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 339, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1

LCMXO2-1200ZE-1TG100CR1

частка акцыі: 6623

Колькасць LAB / CLB: 160, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1280, Усяго біт аператыўнай памяці: 65536, Колькасць уводу-вываду: 79, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFSC3GA80E-5FFN1152I

LFSC3GA80E-5FFN1152I

частка акцыі: 59

Колькасць LAB / CLB: 20000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 80000, Усяго біт аператыўнай памяці: 5816320, Колькасць уводу-вываду: 660, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.26V,

LFEC15E-3F484C

LFEC15E-3F484C

частка акцыі: 7661

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15400, Усяго біт аператыўнай памяці: 358400, Колькасць уводу-вываду: 352, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP15E-4FN256I

LFECP15E-4FN256I

частка акцыі: 409

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15400, Усяго біт аператыўнай памяці: 358400, Колькасць уводу-вываду: 195, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFEC1E-4QN208C

LFEC1E-4QN208C

частка акцыі: 8995

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 1500, Усяго біт аператыўнай памяці: 18432, Колькасць уводу-вываду: 112, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFX200EB-04FN256I

LFX200EB-04FN256I

частка акцыі: 6884

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2704, Усяго біт аператыўнай памяці: 113664, Колькасць уводу-вываду: 160, Колькасць брамы: 210000, Напружанне - харчаванне: 2.3V ~ 3.6V,

LFE5UM-25F-6MG285I

LFE5UM-25F-6MG285I

частка акцыі: 6472

Колькасць LAB / CLB: 6000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24000, Усяго біт аператыўнай памяці: 1032192, Колькасць уводу-вываду: 118, Напружанне - харчаванне: 1.045V ~ 1.155V,

LFECP33E-3FN672I

LFECP33E-3FN672I

частка акцыі: 676

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32800, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 496, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP3C-3TN144C

LFXP3C-3TN144C

частка акцыі: 6933

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3000, Усяго біт аператыўнай памяці: 55296, Колькасць уводу-вываду: 100, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFECP33E-4FN672C

LFECP33E-4FN672C

частка акцыі: 631

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32800, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 496, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP6C-4FN256C

LFXP6C-4FN256C

частка акцыі: 7009

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6000, Усяго біт аператыўнай памяці: 73728, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFXP2-30E-5F672C

LFXP2-30E-5F672C

частка акцыі: 8752

Колькасць LAB / CLB: 3625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 472, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO2-2000ZE-3MG132I

LCMXO2-2000ZE-3MG132I

частка акцыі: 6277

Колькасць LAB / CLB: 264, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2112, Усяго біт аператыўнай памяці: 75776, Колькасць уводу-вываду: 104, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP20C-4FN256I

LFXP20C-4FN256I

частка акцыі: 8579

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 20000, Усяго біт аператыўнай памяці: 405504, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFEC6E-3F256I

LFEC6E-3F256I

частка акцыі: 8030

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6100, Усяго біт аператыўнай памяці: 94208, Колькасць уводу-вываду: 195, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP20E-4FN672C

LFECP20E-4FN672C

частка акцыі: 532

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 19700, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO2280C-3FT324I

LCMXO2280C-3FT324I

частка акцыі: 7153

Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 271, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LCMXO2280E-5M132C

LCMXO2280E-5M132C

частка акцыі: 7248

Колькасць LAB / CLB: 285, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 2280, Усяго біт аператыўнай памяці: 28262, Колькасць уводу-вываду: 101, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFEC10E-3FN484C

LFEC10E-3FN484C

частка акцыі: 7696

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10200, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 288, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP10C-5F388C

LFXP10C-5F388C

частка акцыі: 8412

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10000, Усяго біт аператыўнай памяці: 221184, Колькасць уводу-вываду: 244, Напружанне - харчаванне: 1.71V ~ 3.465V,

LFECP15E-5FN484C

LFECP15E-5FN484C

частка акцыі: 428

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 15400, Усяго біт аператыўнай памяці: 358400, Колькасць уводу-вываду: 352, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFEC20E-3FN484I

LFEC20E-3FN484I

частка акцыі: 9136

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 19700, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP33E-4FN484I

LFECP33E-4FN484I

частка акцыі: 739

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 32800, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP10E-5FN256C

LFECP10E-5FN256C

частка акцыі: 8132

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 10200, Усяго біт аператыўнай памяці: 282624, Колькасць уводу-вываду: 195, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFE2M35E-6F672I

LFE2M35E-6F672I

частка акцыі: 7625

Колькасць LAB / CLB: 4250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 34000, Усяго біт аператыўнай памяці: 2151424, Колькасць уводу-вываду: 410, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFXP20E-5FN256C

LFXP20E-5FN256C

частка акцыі: 6889

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 20000, Усяго біт аператыўнай памяці: 405504, Колькасць уводу-вываду: 188, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFECP20E-3FN672C

LFECP20E-3FN672C

частка акцыі: 548

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 19700, Усяго біт аператыўнай памяці: 434176, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LCMXO3LF-9400C-5BG256C

LCMXO3LF-9400C-5BG256C

частка акцыі: 6175

Колькасць LAB / CLB: 1175, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 9400, Усяго біт аператыўнай памяці: 442368, Колькасць уводу-вываду: 206, Напружанне - харчаванне: 2.375V ~ 3.465V,

LFXP2-30E-5F672I

LFXP2-30E-5F672I

частка акцыі: 6889

Колькасць LAB / CLB: 3625, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 29000, Усяго біт аператыўнай памяці: 396288, Колькасць уводу-вываду: 472, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

LFEC3E-3TN100C

LFEC3E-3TN100C

частка акцыі: 7905

Колькасць лагічных элементаў / вочак: 3100, Усяго біт аператыўнай памяці: 56320, Колькасць уводу-вываду: 67, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,