Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

BSC240N12NS3 G

частка акцыі: 1398

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 120V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 37A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 31A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSV236SPH6327XTSA1

частка акцыі: 144710

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA2

частка акцыі: 137721

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS806NEH6327XTSA1

частка акцыі: 133510

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSL307SPH6327XTSA1

частка акцыі: 173921

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSR302NL6327HTSA1

частка акцыі: 147786

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 3.7A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSP149H6327XTSA1

частка акцыі: 151561

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 660mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA2

частка акцыі: 139015

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSR315PH6327XTSA1

частка акцыі: 154692

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 620mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSP300H6327XUSA1

частка акцыі: 149949

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 800V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 190mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BUZ73LHXKSA1

частка акцыі: 1204

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 3.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BUZ73ALHXKSA1

частка акцыі: 1178

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BUZ73A H3046

частка акцыі: 1626

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BUZ73A H

частка акцыі: 1233

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BUZ73HXKSA1

частка акцыі: 1190

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BUZ73H3046XKSA1

частка акцыі: 1217

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BUZ31L H

частка акцыі: 1152

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 7A, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BUZ31HXKSA1

частка акцыі: 1196

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 200V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14.5A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 9A, 5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS84PH6327XTSA1

частка акцыі: 1174

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 170mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSC0908NSATMA1

частка акцыі: 1017

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 34V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 14A (Ta), 49A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS816NW L6327

частка акцыі: 875

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.4A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS314PEL6327HTSA1

частка акцыі: 879

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS806NL6327HTSA1

частка акцыі: 961

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.3A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2.3A, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS159NH6327XTSA1

частка акцыі: 894

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 230mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 160mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS127H6327XTSA1

частка акцыі: 920

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS126H6327XTSA1

частка акцыі: 899

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 21mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 0V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 16mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSF083N03LQ G

частка акцыі: 6168

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A (Ta), 53A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSF053N03LT G

частка акцыі: 917

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 16A (Ta), 71A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSB024N03LX G

частка акцыі: 881

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 27A (Ta), 145A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSB053N03LP G

частка акцыі: 882

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17A (Ta), 71A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSB019N03LX G

частка акцыі: 1636

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 32A (Ta), 174A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSS205NL6327HTSA1

частка акцыі: 867

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 2.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSO220N03MSGXUMA1

частка акцыі: 941

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8.6A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSL802SNL6327HTSA1

частка акцыі: 843

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 2.5V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSL302SNL6327HTSA1

частка акцыі: 912

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 7.1A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

BSD214SN L6327

частка акцыі: 923

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Ліст з жаданняў