Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

Дом
Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя

Infineon Technologies

AUIRFS4115TRL

частка акцыі: 25434

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 99A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Ліст з жаданняў

AUIRLS3036-7TRL

Infineon Technologies

AUIRLS3036-7TRL

частка акцыі: 25560

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 240A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,

Ліст з жаданняў

AUIRLS4030-7TRL

Infineon Technologies

AUIRLS4030-7TRL

частка акцыі: 25843

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 190A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 110A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRFS8409TRL

частка акцыі: 26316

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRLS3036TRL

частка акцыі: 26630

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRLS4030TRL

частка акцыі: 26947

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 180A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF7799L2TR

частка акцыі: 26979

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 250V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 375A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRFS4115

частка акцыі: 27211

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 99A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRFSL4115

частка акцыі: 27215

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 99A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRFSL8409

частка акцыі: 28150

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF7769L2TR

частка акцыі: 29095

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 375A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 74A, 10V,

Ліст з жаданняў

AUIRF3805S-7TRL

Infineon Technologies

AUIRF3805S-7TRL

частка акцыі: 29625

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRFS4310TRL

частка акцыі: 30275

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 75A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

AUIRF1324STRL7P

Infineon Technologies

AUIRF1324STRL7P

частка акцыі: 30395

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 340A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V,

Ліст з жаданняў

AUIRF2804STRL7P

Infineon Technologies

AUIRF2804STRL7P

частка акцыі: 30516

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 240A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF1324STRL

частка акцыі: 30901

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF7738L2TR

частка акцыі: 35883

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 35A (Ta), 130A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 109A, 10V,

Ліст з жаданняў

AUIRFS8408-7TRL

Infineon Technologies

AUIRFS8408-7TRL

частка акцыі: 32920

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 240A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF2804STRL

частка акцыі: 33414

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF1404STRL

частка акцыі: 33667

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 75A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 95A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF2903ZSTRL

частка акцыі: 34014

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF1324S-7P

частка акцыі: 21240

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 160A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF1324

частка акцыі: 34134

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 24V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 195A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF3805L

частка акцыі: 34207

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF2804S-7P

частка акцыі: 16368

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 240A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 160A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRFS4310ZTRL

частка акцыі: 34665

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF2903Z

частка акцыі: 35732

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF2804L

частка акцыі: 17981

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF1404

частка акцыі: 36090

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 121A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF1405ZS-7P

частка акцыі: 27102

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 120A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF3805

частка акцыі: 37043

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 160A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF4905STRL

частка акцыі: 38932

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 42A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 42A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF2804

частка акцыі: 22270

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 75A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRFS8407TRL

частка акцыі: 41880

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 195A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

AUIRFS8407-7TRL

Infineon Technologies

AUIRFS8407-7TRL

частка акцыі: 39997

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 40V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 240A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

Ліст з жаданняў

Infineon Technologies

AUIRF1405

частка акцыі: 39980

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 55V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 75A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 101A, 10V,

Ліст з жаданняў

3600

«
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
»