PMIC - Драйверы брамы

MIC4422ACT

MIC4422ACT

частка акцыі: 3043

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
MIC5013BM-TR

MIC5013BM-TR

частка акцыі: 3509

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 32V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 2V, 4.5V,

Пажаданні
IX6R11P7

IX6R11P7

частка акцыі: 5665

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 35V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 6V, 9.6V,

Пажаданні
IXDE504D2T/R

IXDE504D2T/R

частка акцыі: 6226

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
IXDN509SIA

IXDN509SIA

частка акцыі: 6657

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
IXDF502D1

IXDF502D1

частка акцыі: 6310

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 30V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 3V,

Пажаданні
HIP2120FRTBZ

HIP2120FRTBZ

частка акцыі: 9601

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 3.7V, 7.93V,

Пажаданні
ISL6614AIBZ-T

ISL6614AIBZ-T

частка акцыі: 5162

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6614BCBZ-T

ISL6614BCBZ-T

частка акцыі: 8075

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6610IBZ

ISL6610IBZ

частка акцыі: 5755

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
ISL6614IRZ-T

ISL6614IRZ-T

частка акцыі: 5258

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6615CBZ-T

ISL6615CBZ-T

частка акцыі: 8178

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 6.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6613ACBZ

ISL6613ACBZ

частка акцыі: 4700

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6614AIR-T

ISL6614AIR-T

частка акцыі: 5145

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 4, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
EL7154CNZ

EL7154CNZ

частка акцыі: 5734

Кіраваная канфігурацыя: High-Side or Low-Side, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.6V, 2.4V,

Пажаданні
HIP2121FRTAZ-T

HIP2121FRTAZ-T

частка акцыі: 9581

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 8V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

Пажаданні
ISL6613AIR

ISL6613AIR

частка акцыі: 4817

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6613BIB-T

ISL6613BIB-T

частка акцыі: 4876

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
ISL6613EIBZ-T

ISL6613EIBZ-T

частка акцыі: 5085

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10.8V ~ 13.2V,

Пажаданні
EL7104CS-T7

EL7104CS-T7

частка акцыі: 3550

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 16V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V,

Пажаданні
ISL89401ABZ-TK

ISL89401ABZ-TK

частка акцыі: 51835

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.4V, 2.2V,

Пажаданні
HIP2100IR4Z

HIP2100IR4Z

частка акцыі: 3795

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 9V ~ 14V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 4V, 7V,

Пажаданні
ISL6613BCB-T

ISL6613BCB-T

частка акцыі: 4795

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 13.2V,

Пажаданні
MAX15025GATB+T

MAX15025GATB+T

частка акцыі: 8784

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 28V,

Пажаданні
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

частка акцыі: 9459

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні
FAN7392N

FAN7392N

частка акцыі: 8425

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 4.5V, 9.5V,

Пажаданні
FAN5009MPX

FAN5009MPX

частка акцыі: 2767

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 13.5V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
FAN7390M

FAN7390M

частка акцыі: 8845

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 22V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.2V, 2.5V,

Пажаданні
E-L6571BD

E-L6571BD

частка акцыі: 3552

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 16.6V,

Пажаданні
L6386

L6386

частка акцыі: 3586

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 17V (Max), Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 1.5V, 3.6V,

Пажаданні
IRS2123STRPBF

IRS2123STRPBF

частка акцыі: 8307

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V,

Пажаданні
IRS21850SPBF

IRS21850SPBF

частка акцыі: 8578

Кіраваная канфігурацыя: High-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 10V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
IRS26310DJPBF

IRS26310DJPBF

частка акцыі: 7686

Кіраваная канфігурацыя: Half-Bridge, Тып канала: 3-Phase, Колькасць кіроўцаў: 6, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 12V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V,

Пажаданні
UC3714DPG4

UC3714DPG4

частка акцыі: 7534

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Synchronous, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 7V ~ 20V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
UC2708NEG4

UC2708NEG4

частка акцыі: 7442

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Independent, Колькасць кіроўцаў: 2, Тып брамы: N-Channel, P-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 5V ~ 35V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні
UC2710T

UC2710T

частка акцыі: 7772

Кіраваная канфігурацыя: Low-Side, Тып канала: Single, Колькасць кіроўцаў: 1, Тып брамы: IGBT, N-Channel MOSFET, Напружанне - харчаванне: 4.7V ~ 18V, Лагічнае напружанне - VIL, VIH: 0.8V, 2V,

Пажаданні