Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Лагіка - памяць FIFO

72V255LA15TFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V255LA15TFGI8

частка акцыі: 2517

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72V255LA10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V255LA10TFG8

частка акцыі: 2485

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
7280L12PA8
IDT, Integrated Device Technology Inc

7280L12PA8

частка акцыі: 7791

Памер памяці: 4.6K (256 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
72255LA10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72255LA10TFG8

частка акцыі: 2551

Памер памяці: 144K (8K x 18), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 4V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 80mA,

Пажаданні
7280L15PA
IDT, Integrated Device Technology Inc

7280L15PA

частка акцыі: 7291

Памер памяці: 4.6K (256 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
72261LA15TFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72261LA15TFGI8

частка акцыі: 2472

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 75mA,

Пажаданні
7280L12PA
IDT, Integrated Device Technology Inc

7280L12PA

частка акцыі: 5996

Памер памяці: 4.6K (256 x 9 x 2), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 50MHz, Час доступу: 12ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 125mA,

Пажаданні
72V261LA10TFG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V261LA10TFG8

частка акцыі: 2483

Памер памяці: 144K (16K x 9), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, Ток - запас (макс.): 55mA,

Пажаданні
72805LB25PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72805LB25PF

частка акцыі: 3513

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
7200L30TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

7200L30TDB

частка акцыі: 2496

Памер памяці: 2.25K (256 x 9), Функцыя: Asynchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 25MHz, Час доступу: 30ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA (Typ),

Пажаданні
72805LB25PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72805LB25PF8

частка акцыі: 4377

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72805LB10PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72805LB10PF8

частка акцыі: 3432

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72805LB15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72805LB15PF8

частка акцыі: 3793

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72805LB10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72805LB10PF

частка акцыі: 2706

Памер памяці: 9K (256 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 100mA,

Пажаданні
72801L25TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L25TF

частка акцыі: 7338

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L25TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L25TF8

частка акцыі: 7388

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L25PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L25PFI

частка акцыі: 4190

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L25PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L25PFI8

частка акцыі: 5272

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L25PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L25PF8

частка акцыі: 5757

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 40MHz, Час доступу: 15ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L15TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L15TF8

частка акцыі: 7344

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72V3612L12PFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

72V3612L12PFG

частка акцыі: 2525

Памер памяці: 4.5K (64 x 36 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 83MHz, Час доступу: 8ns, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V,

Пажаданні
72801L15TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L15TF

частка акцыі: 7348

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L15PFI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L15PFI8

частка акцыі: 4548

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L15PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L15PF8

частка акцыі: 5200

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L15PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L15PF

частка акцыі: 4162

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L15PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L15PFI

частка акцыі: 3598

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 66.7MHz, Час доступу: 10ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72801L10TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L10TF

частка акцыі: 2798

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72615L50PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72615L50PF8

частка акцыі: 7283

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 20MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 230mA,

Пажаданні
72801L10PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72801L10PF

частка акцыі: 3597

Памер памяці: 4.5K (256 x 9 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 100MHz, Час доступу: 6.5ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 60mA,

Пажаданні
72615L50J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72615L50J8

частка акцыі: 7259

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 20MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 230mA,

Пажаданні
72615L50PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72615L50PF

частка акцыі: 7302

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 20MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 230mA,

Пажаданні
72615L35PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

72615L35PF

частка акцыі: 7295

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28MHz, Час доступу: 21ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 230mA,

Пажаданні
72615L35PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72615L35PF8

частка акцыі: 7239

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28MHz, Час доступу: 21ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 230mA,

Пажаданні
72615L50J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72615L50J

частка акцыі: 7225

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 20MHz, Час доступу: 25ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 230mA,

Пажаданні
72615L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

72615L35J8

частка акцыі: 7282

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28MHz, Час доступу: 21ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 230mA,

Пажаданні
72615L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc

72615L35J

частка акцыі: 7185

Памер памяці: 18K (512 x 18 x 2), Функцыя: Synchronous, Хуткасць перадачы дадзеных: 28MHz, Час доступу: 21ns, Напружанне - харчаванне: 4.5V ~ 5.5V, Ток - запас (макс.): 230mA,

Пажаданні