Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGSMD6K2F40C3N

5SGSMD6K2F40C3N

частка акцыі: 11

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5N2F40C2LN

5SGXEA5N2F40C2LN

частка акцыі: 55

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5H1F35C2L

5SGXEA5H1F35C2L

частка акцыі: 32

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7N3F45C3

5SGXEA7N3F45C3

частка акцыі: 48

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7K2F35I3N

5SGXEA7K2F35I3N

частка акцыі: 24

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMABK3H40C4N

5SGXMABK3H40C4N

частка акцыі: 25

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5K2F35I3L

5SGXEA5K2F35I3L

частка акцыі: 36

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7N3F45I3N

5SGXMA7N3F45I3N

частка акцыі: 20

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7N3F40I3LN

5SGXMA7N3F40I3LN

частка акцыі: 56

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEB5R2F43C3N

5SGXEB5R2F43C3N

частка акцыі: 76

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD5H2F35I3LN

5SGSMD5H2F35I3LN

частка акцыі: 42

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSED6N3F45C3N

5SGSED6N3F45C3N

частка акцыі: 15

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5H2F35I2LN

5SGXEA5H2F35I2LN

частка акцыі: 11

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4K1F40C2L

5SGXEA4K1F40C2L

частка акцыі: 59

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7H3F35I3L

5SGXEA7H3F35I3L

частка акцыі: 88

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5K2F35I2LN

5SGXEA5K2F35I2LN

частка акцыі: 36

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7K2F35I3LN

5SGXMA7K2F35I3LN

частка акцыі: 94

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7K3F40I3LN

5SGXEA7K3F40I3LN

частка акцыі: 42

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA4K1F35I2N

5SGXEA4K1F35I2N

частка акцыі: 74

Колькасць LAB / CLB: 158500, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 420000, Усяго біт аператыўнай памяці: 43983872, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA5K2F35I2LN

5SGXMA5K2F35I2LN

частка акцыі: 113

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEABK3H40C4N

5SGXEABK3H40C4N

частка акцыі: 71

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSED6K3F40C3N

5SGSED6K3F40C3N

частка акцыі: 26

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7K3F35C2

5SGXMA7K3F35C2

частка акцыі: 79

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMB5R2F43C3N

5SGXMB5R2F43C3N

частка акцыі: 66

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7K2F35I3N

5SGXMA7K2F35I3N

частка акцыі: 103

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7N2F45C3

5SGXMA7N2F45C3

частка акцыі: 17

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5N3F45C2L

5SGXEA5N3F45C2L

частка акцыі: 77

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMB6R3F40I4N

5SGXMB6R3F40I4N

частка акцыі: 99

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7K3F35C2L

5SGXEA7K3F35C2L

частка акцыі: 45

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7H2F35C2N

5SGXMA7H2F35C2N

частка акцыі: 86

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA5N3F45I3L

5SGXEA5N3F45I3L

частка акцыі: 31

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5N2F40I3N

5SGXEA5N2F40I3N

частка акцыі: 96

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA5K1F40C2LN

5SGXMA5K1F40C2LN

частка акцыі: 85

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA5N2F40C2N

5SGXMA5N2F40C2N

частка акцыі: 21

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA7K2F40C3

5SGXMA7K2F40C3

частка акцыі: 97

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5962-9958502QXC

5962-9958502QXC

частка акцыі: 75

Усяго біт аператыўнай памяці: 2560, Колькасць уводу-вываду: 202, Колькасць брамы: 54000, Напружанне - харчаванне: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V,

Пажаданні