Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXMA5N1F40I2N

5SGXMA5N1F40I2N

частка акцыі: 28

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SEE9F45I3N

5SEE9F45I3N

частка акцыі: 106

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA5N2F45I2L

5SGXEA5N2F45I2L

частка акцыі: 95

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7N2F45I2N

5SGXMA7N2F45I2N

частка акцыі: 28

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGSMD6N2F45C2LN

5SGSMD6N2F45C2LN

частка акцыі: 83

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSED6N2F45I3LN

5SGSED6N2F45I3LN

частка акцыі: 91

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEB6R2F43C3N

5SGXEB6R2F43C3N

частка акцыі: 100

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7N2F45C2L

5SGXEA7N2F45C2L

частка акцыі: 37

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA9N3F45I4N

5SGXEA9N3F45I4N

частка акцыі: 38

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7K2F40I2N

5SGXMA7K2F40I2N

частка акцыі: 85

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEB5R2F40C2LN

5SGXEB5R2F40C2LN

частка акцыі: 53

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD5K1F40C2L

5SGSMD5K1F40C2L

частка акцыі: 99

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7H2F35C1N

5SGXEA7H2F35C1N

частка акцыі: 27

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMB5R2F43I3N

5SGXMB5R2F43I3N

частка акцыі: 18

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD8N3F45I3N

5SGSMD8N3F45I3N

частка акцыі: 105

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7N1F45C2LN

5SGXMA7N1F45C2LN

частка акцыі: 81

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSED6K2F40I3LN

5SGSED6K2F40I3LN

частка акцыі: 60

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD8K3F40I3LN

5SGSMD8K3F40I3LN

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSED8N3F45C2N

5SGSED8N3F45C2N

частка акцыі: 106

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEABN3F45I4N

5SGXEABN3F45I4N

частка акцыі: 12

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7K2F35I2LN

5SGXMA7K2F35I2LN

частка акцыі: 64

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA9K3H40C3N

5SGXEA9K3H40C3N

частка акцыі: 96

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7N2F40I2N

5SGXEA7N2F40I2N

частка акцыі: 104

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMB6R3F43I3N

5SGXMB6R3F43I3N

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEB5R3F43I3L

5SGXEB5R3F43I3L

частка акцыі: 21

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEB6R3F43C3

5SGXEB6R3F43C3

частка акцыі: 65

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEB5R2F43C2L

5SGXEB5R2F43C2L

частка акцыі: 63

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD6K2F40C2N

5SGSMD6K2F40C2N

частка акцыі: 30

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMB5R1F40C2LN

5SGXMB5R1F40C2LN

частка акцыі: 90

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD8N3F45C2N

5SGSMD8N3F45C2N

частка акцыі: 64

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA7K2F35C1N

5SGXMA7K2F35C1N

частка акцыі: 29

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEABN3F45C3N

5SGXEABN3F45C3N

частка акцыі: 15

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7N2F40I2LN

5SGXEA7N2F40I2LN

частка акцыі: 36

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD5H1F35C2L

5SGSMD5H1F35C2L

частка акцыі: 57

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 552, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEB6R3F40C2N

5SGXEB6R3F40C2N

частка акцыі: 61

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA5N1F45I2N

5SGXMA5N1F45I2N

частка акцыі: 33

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 53105664, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні