Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

5SGXEB6R2F43C2N

5SGXEB6R2F43C2N

частка акцыі: 11

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGSED6N1F45C2L

5SGSED6N1F45C2L

частка акцыі: 86

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7N2F40C1N

5SGXEA7N2F40C1N

частка акцыі: 90

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SEE9F45C2L

5SEE9F45C2L

частка акцыі: 40

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGTMC7K3F40I2N

5SGTMC7K3F40I2N

частка акцыі: 53

Колькасць LAB / CLB: 234750, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59938816, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGSMD5K2F40I2L

5SGSMD5K2F40I2L

частка акцыі: 55

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SEEBH40I3L

5SEEBH40I3L

частка акцыі: 56

Колькасць LAB / CLB: 359250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD5K1F40C1N

5SGSMD5K1F40C1N

частка акцыі: 104

Колькасць LAB / CLB: 172600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 457000, Усяго біт аператыўнай памяці: 46769152, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGSMD8K2F40I3N

5SGSMD8K2F40I3N

частка акцыі: 35

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSED6K1F40C2N

5SGSED6K1F40C2N

частка акцыі: 87

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEB9R3H43I3LN

5SGXEB9R3H43I3LN

частка акцыі: 57

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEB6R3F43C2L

5SGXEB6R3F43C2L

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA7N1F45I2N

5SGXMA7N1F45I2N

частка акцыі: 57

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGSED8N3F45C2L

5SGSED8N3F45C2L

частка акцыі: 82

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA9N3F45C2LN

5SGXMA9N3F45C2LN

частка акцыі: 8

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMB5R2F40C1N

5SGXMB5R2F40C1N

частка акцыі: 29

Колькасць LAB / CLB: 185000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 490000, Усяго біт аператыўнай памяці: 48927744, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMABN3F45I3N

5SGXMABN3F45I3N

частка акцыі: 15

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA9K3H40C2LN

5SGXMA9K3H40C2LN

частка акцыі: 61

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSED6K1F40C2LN

5SGSED6K1F40C2LN

частка акцыі: 100

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEB6R2F40C2LN

5SGXEB6R2F40C2LN

частка акцыі: 73

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMB9R3H43I3N

5SGXMB9R3H43I3N

частка акцыі: 79

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXEA7N2F45I2

5SGXEA7N2F45I2

частка акцыі: 51

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMB6R2F40C2N

5SGXMB6R2F40C2N

частка акцыі: 52

Колькасць LAB / CLB: 225400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 597000, Усяго біт аператыўнай памяці: 61688832, Колькасць уводу-вываду: 432, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEA9K3H40C2LN

5SGXEA9K3H40C2LN

частка акцыі: 50

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SEE9H40I3L

5SEE9H40I3L

частка акцыі: 52

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGXMA9K3H40C2N

5SGXMA9K3H40C2N

частка акцыі: 20

Колькасць LAB / CLB: 317000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 840000, Усяго біт аператыўнай памяці: 64210944, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXEABK3H40I3LN

5SGXEABK3H40I3LN

частка акцыі: 70

Колькасць LAB / CLB: 359200, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD8N2F45C2N

5SGSMD8N2F45C2N

частка акцыі: 31

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGXMA7K1F40I2N

5SGXMA7K1F40I2N

частка акцыі: 69

Колькасць LAB / CLB: 234720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 622000, Усяго біт аператыўнай памяці: 59939840, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SGSMD6N1F45C2N

5SGSMD6N1F45C2N

частка акцыі: 65

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SEEBH40I3N

5SEEBH40I3N

частка акцыі: 23

Колькасць LAB / CLB: 359250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD8K2F40C2N

5SGSMD8K2F40C2N

частка акцыі: 86

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

Пажаданні
5SEEBH40I3LN

5SEEBH40I3LN

частка акцыі: 43

Колькасць LAB / CLB: 359250, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 952000, Усяго біт аператыўнай памяці: 65561600, Колькасць уводу-вываду: 696, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSMD6N1F45C2LN

5SGSMD6N1F45C2LN

частка акцыі: 106

Колькасць LAB / CLB: 220000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 583000, Усяго біт аператыўнай памяці: 54553600, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5SGSED8N2F45C2LN

5SGSED8N2F45C2LN

частка акцыі: 47

Колькасць LAB / CLB: 262400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 695000, Усяго біт аператыўнай памяці: 60968960, Колькасць уводу-вываду: 840, Напружанне - харчаванне: 0.82V ~ 0.88V,

Пажаданні
5962-0054302QYC

5962-0054302QYC

частка акцыі: 46

Колькасць LAB / CLB: 6036, Колькасць уводу-вываду: 171, Колькасць брамы: 108000, Напружанне - харчаванне: 2.25V ~ 5.25V,

Пажаданні