Друкаваць | Апісанне |
Статус часткі | Active |
---|---|
Тып FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Функцыя FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 100V |
Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 1.7A, 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
Магутнасць - Макс | - |
Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тып мацавання | Surface Mount |
Пакет / чахол | 9-VFBGA |
Пакет прылад пастаўшчыка | 9-BGA (1.35x1.35) |
Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
---|---|
Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
Акцыя катэгорыя | Даступны запас |