| Друкаваць | Апісанне |
| Статус часткі | Active |
|---|---|
| Тып FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Функцыя FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 30V |
| Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 10A (Ta), 40A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA |
| Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V |
| Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V |
| Магутнасць - Макс | - |
| Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тып мацавання | Surface Mount |
| Пакет / чахол | Die |
| Пакет прылад пастаўшчыка | Die |
| Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
|---|---|
| Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
| LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
| Акцыя катэгорыя | Даступны запас |
