Друкаваць | Апісанне |
Статус часткі | Active |
---|---|
Тып FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Функцыя FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
Адток да крыніцы напружання (Vdss) | 60V |
Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C | 9.5A, 38A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V |
Vgs (й) (макс.) @ Ідэнтыфікатар | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA |
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V |
Уваходная ёмістасць (Ciss) (макс.) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V |
Магутнасць - Макс | - |
Працоўная тэмпература | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тып мацавання | Surface Mount |
Пакет / чахол | Die |
Пакет прылад пастаўшчыка | Die |
Статус RoHS | Rohs сумяшчальны |
---|---|
Ўзровень адчувальнасці вільгаці (MSL) | Не дастасавальна |
LifeCyle Business | Састарэлы / канец жыцця |
Акцыя катэгорыя | Даступны запас |