Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A26R7CBHF3

9T04021A26R7CBHF3

частка акцыі: 8598

Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R9CBHF3

9T04021A24R9CBHF3

частка акцыі: 8561

Супраціўленне: 24.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A25R5CBHF3

9T04021A25R5CBHF3

частка акцыі: 8623

Супраціўленне: 25.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A26R1CBHF3

9T04021A26R1CBHF3

частка акцыі: 8563

Супраціўленне: 26.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R3CBHF3

9T04021A24R3CBHF3

частка акцыі: 8623

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A23R7CBHF3

9T04021A23R7CBHF3

частка акцыі: 8564

Супраціўленне: 23.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R6CBHF3

9T04021A22R6CBHF3

частка акцыі: 8587

Супраціўленне: 22.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A23R2CBHF3

9T04021A23R2CBHF3

частка акцыі: 8561

Супраціўленне: 23.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A21R0CBHF3

9T04021A21R0CBHF3

частка акцыі: 8558

Супраціўленне: 21 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A21R5CBHF3

9T04021A21R5CBHF3

частка акцыі: 8613

Супраціўленне: 21.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R0CBHF3

9T04021A22R0CBHF3

частка акцыі: 8548

Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A20R0CBHF3

9T04021A20R0CBHF3

частка акцыі: 8550

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A20R5CBHF3

9T04021A20R5CBHF3

частка акцыі: 8590

Супраціўленне: 20.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A19R6CBHF3

9T04021A19R6CBHF3

частка акцыі: 8551

Супраціўленне: 19.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A19R1CBHF3

9T04021A19R1CBHF3

частка акцыі: 8561

Супраціўленне: 19.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A17R8CBHF3

9T04021A17R8CBHF3

частка акцыі: 8630

Супраціўленне: 17.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A18R0CBHF3

9T04021A18R0CBHF3

частка акцыі: 8590

Супраціўленне: 18 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A18R2CBHF3

9T04021A18R2CBHF3

частка акцыі: 8586

Супраціўленне: 18.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A18R7CBHF3

9T04021A18R7CBHF3

частка акцыі: 8544

Супраціўленне: 18.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R9CBHF3

9T04021A16R9CBHF3

частка акцыі: 8603

Супраціўленне: 16.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R2CBHF3

9T04021A16R2CBHF3

частка акцыі: 8538

Супраціўленне: 16.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A17R4CBHF3

9T04021A17R4CBHF3

частка акцыі: 8604

Супраціўленне: 17.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A15R4CBHF3

9T04021A15R4CBHF3

частка акцыі: 8543

Супраціўленне: 15.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A16R0CBHF3

9T04021A16R0CBHF3

частка акцыі: 8633

Супраціўленне: 16 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A15R0CBHF3

9T04021A15R0CBHF3

частка акцыі: 8607

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A15R8CBHF3

9T04021A15R8CBHF3

частка акцыі: 8596

Супраціўленне: 15.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R3CBHF3

9T04021A14R3CBHF3

частка акцыі: 8607

Супраціўленне: 14.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R0CBHF3

9T04021A14R0CBHF3

частка акцыі: 8555

Супраціўленне: 14 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A13R7CBHF3

9T04021A13R7CBHF3

частка акцыі: 8552

Супраціўленне: 13.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A14R7CBHF3

9T04021A14R7CBHF3

частка акцыі: 8619

Супраціўленне: 14.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A13R0CBHF3

9T04021A13R0CBHF3

частка акцыі: 8561

Супраціўленне: 13 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R4CBHF3

9T04021A12R4CBHF3

частка акцыі: 8580

Супраціўленне: 12.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A13R3CBHF3

9T04021A13R3CBHF3

частка акцыі: 8588

Супраціўленне: 13.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A12R1CBHF3

9T04021A12R1CBHF3

частка акцыі: 8607

Супраціўленне: 12.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R8CBHF3

9T04021A11R8CBHF3

частка акцыі: 8602

Супраціўленне: 11.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A11R5CBHF3

9T04021A11R5CBHF3

частка акцыі: 8572

Супраціўленне: 11.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,