Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A52R3CBHF3

9T04021A52R3CBHF3

частка акцыі: 8651

Супраціўленне: 52.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A53R6CBHF3

9T04021A53R6CBHF3

частка акцыі: 8631

Супраціўленне: 53.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A54R9CBHF3

9T04021A54R9CBHF3

частка акцыі: 8623

Супраціўленне: 54.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A51R1CBHF3

9T04021A51R1CBHF3

частка акцыі: 8583

Супраціўленне: 51.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A48R7CBHF3

9T04021A48R7CBHF3

частка акцыі: 8593

Супраціўленне: 48.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A51R0CBHF3

9T04021A51R0CBHF3

частка акцыі: 3895

Супраціўленне: 51 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A49R9CBHF3

9T04021A49R9CBHF3

частка акцыі: 8617

Супраціўленне: 49.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A46R4CBHF3

9T04021A46R4CBHF3

частка акцыі: 8585

Супраціўленне: 46.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A45R3CBHF3

9T04021A45R3CBHF3

частка акцыі: 8655

Супраціўленне: 45.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A47R5CBHF3

9T04021A47R5CBHF3

частка акцыі: 8672

Супраціўленне: 47.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A47R0CBHF3

9T04021A47R0CBHF3

частка акцыі: 8592

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A44R2CBHF3

9T04021A44R2CBHF3

частка акцыі: 8605

Супраціўленне: 44.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A43R2CBHF3

9T04021A43R2CBHF3

частка акцыі: 8648

Супраціўленне: 43.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A43R0CBHF3

9T04021A43R0CBHF3

частка акцыі: 8661

Супраціўленне: 43 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A41R2CBHF3

9T04021A41R2CBHF3

частка акцыі: 8653

Супраціўленне: 41.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A39R0CBHF3

9T04021A39R0CBHF3

частка акцыі: 8575

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A40R2CBHF3

9T04021A40R2CBHF3

частка акцыі: 3927

Супраціўленне: 40.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A36R5CBHF3

9T04021A36R5CBHF3

частка акцыі: 8660

Супраціўленне: 36.5 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A38R3CBHF3

9T04021A38R3CBHF3

частка акцыі: 8607

Супраціўленне: 38.3 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A36R0CBHF3

9T04021A36R0CBHF3

частка акцыі: 8586

Супраціўленне: 36 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A37R4CBHF3

9T04021A37R4CBHF3

частка акцыі: 3890

Супраціўленне: 37.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A34R0CBHF3

9T04021A34R0CBHF3

частка акцыі: 3917

Супраціўленне: 34 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A33R2CBHF3

9T04021A33R2CBHF3

частка акцыі: 8566

Супраціўленне: 33.2 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A34R8CBHF3

9T04021A34R8CBHF3

частка акцыі: 8571

Супраціўленне: 34.8 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A35R7CBHF3

9T04021A35R7CBHF3

частка акцыі: 8599

Супраціўленне: 35.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A32R4CBHF3

9T04021A32R4CBHF3

частка акцыі: 8659

Супраціўленне: 32.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A31R6CBHF3

9T04021A31R6CBHF3

частка акцыі: 8648

Супраціўленне: 31.6 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A33R0CBHF3

9T04021A33R0CBHF3

частка акцыі: 8614

Супраціўленне: 33 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R9CBHF3

9T04021A30R9CBHF3

частка акцыі: 3900

Супраціўленне: 30.9 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A28R7CBHF3

9T04021A28R7CBHF3

частка акцыі: 8648

Супраціўленне: 28.7 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R0CBHF3

9T04021A30R0CBHF3

частка акцыі: 8635

Супраціўленне: 30 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R1CBHF3

9T04021A30R1CBHF3

частка акцыі: 8625

Супраціўленне: 30.1 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A29R4CBHF3

9T04021A29R4CBHF3

частка акцыі: 8636

Супраціўленне: 29.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A27R4CBHF3

9T04021A27R4CBHF3

частка акцыі: 8649

Супраціўленне: 27.4 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A28R0CBHF3

9T04021A28R0CBHF3

частка акцыі: 8616

Супраціўленне: 28 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A27R0CBHF3

9T04021A27R0CBHF3

частка акцыі: 8557

Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±0.25%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,