Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A43R0FBHF3

9T04021A43R0FBHF3

частка акцыі: 718

Супраціўленне: 43 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A39R0FBHF3

9T04021A39R0FBHF3

частка акцыі: 728

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A39R2FBHF3

9T04021A39R2FBHF3

частка акцыі: 766

Супраціўленне: 39.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A38R3FBHF3

9T04021A38R3FBHF3

частка акцыі: 751

Супраціўленне: 38.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A40R2FBHF3

9T04021A40R2FBHF3

частка акцыі: 755

Супраціўленне: 40.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A37R4FBHF3

9T04021A37R4FBHF3

частка акцыі: 734

Супраціўленне: 37.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A35R7FBHF3

9T04021A35R7FBHF3

частка акцыі: 738

Супраціўленне: 35.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A36R5FBHF3

9T04021A36R5FBHF3

частка акцыі: 695

Супраціўленне: 36.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A36R0FBHF3

9T04021A36R0FBHF3

частка акцыі: 725

Супраціўленне: 36 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A33R2FBHF3

9T04021A33R2FBHF3

частка акцыі: 783

Супраціўленне: 33.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A34R8FBHF3

9T04021A34R8FBHF3

частка акцыі: 741

Супраціўленне: 34.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A34R0FBHF3

9T04021A34R0FBHF3

частка акцыі: 756

Супраціўленне: 34 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R1FBHF3

9T04021A30R1FBHF3

частка акцыі: 709

Супраціўленне: 30.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R9FBHF3

9T04021A30R9FBHF3

частка акцыі: 4073

Супраціўленне: 30.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A31R6FBHF3

9T04021A31R6FBHF3

частка акцыі: 734

Супраціўленне: 31.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A32R4FBHF3

9T04021A32R4FBHF3

частка акцыі: 4095

Супраціўленне: 32.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A29R4FBHF3

9T04021A29R4FBHF3

частка акцыі: 739

Супраціўленне: 29.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A28R7FBHF3

9T04021A28R7FBHF3

частка акцыі: 767

Супраціўленне: 28.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A28R0FBHF3

9T04021A28R0FBHF3

частка акцыі: 702

Супраціўленне: 28 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A30R0FBHF3

9T04021A30R0FBHF3

частка акцыі: 739

Супраціўленне: 30 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A27R0FBHF3

9T04021A27R0FBHF3

частка акцыі: 711

Супраціўленне: 27 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A26R1FBHF3

9T04021A26R1FBHF3

частка акцыі: 733

Супраціўленне: 26.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A26R7FBHF3

9T04021A26R7FBHF3

частка акцыі: 772

Супраціўленне: 26.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R0FBHF3

9T04021A24R0FBHF3

частка акцыі: 691

Супраціўленне: 24 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R3FBHF3

9T04021A24R3FBHF3

частка акцыі: 692

Супраціўленне: 24.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A24R9FBHF3

9T04021A24R9FBHF3

частка акцыі: 704

Супраціўленне: 24.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A25R5FBHF3

9T04021A25R5FBHF3

частка акцыі: 774

Супраціўленне: 25.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R6FBHF3

9T04021A22R6FBHF3

частка акцыі: 7422

Супраціўленне: 22.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A23R7FBHF3

9T04021A23R7FBHF3

частка акцыі: 716

Супраціўленне: 23.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A23R2FBHF3

9T04021A23R2FBHF3

частка акцыі: 714

Супраціўленне: 23.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A22R1FBHF3

9T04021A22R1FBHF3

частка акцыі: 705

Супраціўленне: 22.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A21R5FBHF3

9T04021A21R5FBHF3

частка акцыі: 734

Супраціўленне: 21.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A20R5FBHF3

9T04021A20R5FBHF3

частка акцыі: 766

Супраціўленне: 20.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A21R0FBHF3

9T04021A21R0FBHF3

частка акцыі: 739

Супраціўленне: 21 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A19R6FBHF3

9T04021A19R6FBHF3

частка акцыі: 763

Супраціўленне: 19.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A20R0FBHF3

9T04021A20R0FBHF3

частка акцыі: 682

Супраціўленне: 20 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,