Чып-рэзістар - павярхоўнае мацаванне

9T04021A95R3FBHF3

9T04021A95R3FBHF3

частка акцыі: 804

Супраціўленне: 95.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A90R9FBHF3

9T04021A90R9FBHF3

частка акцыі: 742

Супраціўленне: 90.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A93R1FBHF3

9T04021A93R1FBHF3

частка акцыі: 763

Супраціўленне: 93.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A91R0FBHF3

9T04021A91R0FBHF3

частка акцыі: 737

Супраціўленне: 91 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A86R6FBHF3

9T04021A86R6FBHF3

частка акцыі: 817

Супраціўленне: 86.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A88R7FBHF3

9T04021A88R7FBHF3

частка акцыі: 4144

Супраціўленне: 88.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A84R5FBHF3

9T04021A84R5FBHF3

частка акцыі: 814

Супраціўленне: 84.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A82R5FBHF3

9T04021A82R5FBHF3

частка акцыі: 729

Супраціўленне: 82.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A82R0FBHF3

9T04021A82R0FBHF3

частка акцыі: 777

Супраціўленне: 82 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A76R9FBHF3

9T04021A76R9FBHF3

частка акцыі: 790

Супраціўленне: 76.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A78R7FBHF3

9T04021A78R7FBHF3

частка акцыі: 730

Супраціўленне: 78.7 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A80R6FBHF3

9T04021A80R6FBHF3

частка акцыі: 805

Супраціўленне: 80.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A71R5FBHF3

9T04021A71R5FBHF3

частка акцыі: 4110

Супраціўленне: 71.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A73R2FBHF3

9T04021A73R2FBHF3

частка акцыі: 810

Супраціўленне: 73.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A69R8FBHF3

9T04021A69R8FBHF3

частка акцыі: 721

Супраціўленне: 69.8 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A75R0FBHF3

9T04021A75R0FBHF3

частка акцыі: 763

Супраціўленне: 75 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A66R5FBHF3

9T04021A66R5FBHF3

частка акцыі: 796

Супраціўленне: 66.5 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A68R0FBHF3

9T04021A68R0FBHF3

частка акцыі: 780

Супраціўленне: 68 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A68R1FBHF3

9T04021A68R1FBHF3

частка акцыі: 721

Супраціўленне: 68.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A64R9FBHF3

9T04021A64R9FBHF3

частка акцыі: 783

Супраціўленне: 64.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A61R9FBHF3

9T04021A61R9FBHF3

частка акцыі: 788

Супраціўленне: 61.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A56R0FBHF3

9T04021A56R0FBHF3

частка акцыі: 793

Супраціўленне: 56 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A56R2FBHF3

9T04021A56R2FBHF3

частка акцыі: 733

Супраціўленне: 56.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A57R6FBHF3

9T04021A57R6FBHF3

частка акцыі: 741

Супраціўленне: 57.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A59R0FBHF3

9T04021A59R0FBHF3

частка акцыі: 800

Супраціўленне: 59 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A52R3FBHF3

9T04021A52R3FBHF3

частка акцыі: 747

Супраціўленне: 52.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A53R6FBHF3

9T04021A53R6FBHF3

частка акцыі: 743

Супраціўленне: 53.6 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A54R9FBHF3

9T04021A54R9FBHF3

частка акцыі: 728

Супраціўленне: 54.9 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A51R1FBHF3

9T04021A51R1FBHF3

частка акцыі: 752

Супраціўленне: 51.1 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A51R0FBHF3

9T04021A51R0FBHF3

частка акцыі: 792

Супраціўленне: 51 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A47R0FBHF3

9T04021A47R0FBHF3

частка акцыі: 803

Супраціўленне: 47 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A44R2FBHF3

9T04021A44R2FBHF3

частка акцыі: 753

Супраціўленне: 44.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A46R4FBHF3

9T04021A46R4FBHF3

частка акцыі: 711

Супраціўленне: 46.4 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A45R3FBHF3

9T04021A45R3FBHF3

частка акцыі: 784

Супраціўленне: 45.3 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A42R2FBHF3

9T04021A42R2FBHF3

частка акцыі: 744

Супраціўленне: 42.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,

9T04021A43R2FBHF3

9T04021A43R2FBHF3

частка акцыі: 722

Супраціўленне: 43.2 Ohms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 0.063W, 1/16W, Склад: Thin Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±100ppm/°C,