Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

XC7K160T-1FB676I

частка акцыі: 327

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC4VLX40-10FFG1148I

частка акцыі: 187

Колькасць LAB / CLB: 4608, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 41472, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 640, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC4VLX40-11FFG1148C

частка акцыі: 191

Колькасць LAB / CLB: 4608, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 41472, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 640, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7K160T-1FF676C

частка акцыі: 329

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC5VLX30T-2FF323I

частка акцыі: 128

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 172, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC6SLX150T-2FG676C

частка акцыі: 382

Колькасць LAB / CLB: 11519, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 147443, Усяго біт аператыўнай памяці: 4939776, Колькасць уводу-вываду: 396, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC2VP7-7FFG896C

частка акцыі: 171

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 396, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC2VP7-7FFG672C

частка акцыі: 207

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 396, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC5VLX30-3FF676C

частка акцыі: 127

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1179648, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC7A200T-3SBG484E

частка акцыі: 302

Колькасць LAB / CLB: 16825, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 215360, Усяго біт аператыўнай памяці: 13455360, Колькасць уводу-вываду: 285, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC6VCX75T-1FFG784C

частка акцыі: 191

Колькасць LAB / CLB: 5820, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 74496, Усяго біт аператыўнай памяці: 5750784, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC4VLX40-10FFG1148C

частка акцыі: 136

Колькасць LAB / CLB: 4608, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 41472, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 640, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7K160T-2FBG676I

частка акцыі: 260

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC7K160T-3FBG484E

частка акцыі: 292

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 285, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC6VLX75T-L1FFG484C

частка акцыі: 127

Колькасць LAB / CLB: 5820, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 74496, Усяго біт аператыўнай памяці: 5750784, Колькасць уводу-вываду: 240, Напружанне - харчаванне: 0.87V ~ 0.93V,

XC6VCX130T-1FFG1156C

частка акцыі: 173

Колькасць LAB / CLB: 10000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 128000, Усяго біт аператыўнай памяці: 9732096, Колькасць уводу-вываду: 600, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC4VFX12-10FF668I

частка акцыі: 338

Колькасць LAB / CLB: 1368, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 12312, Усяго біт аператыўнай памяці: 663552, Колькасць уводу-вываду: 320, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC4VLX25-11SF363C

частка акцыі: 297

Колькасць LAB / CLB: 2688, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24192, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 240, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC4VLX40-10FF668I

частка акцыі: 145

Колькасць LAB / CLB: 4608, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 41472, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 448, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC5VLX30T-1FF323I

частка акцыі: 217

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 172, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC5VLX50-2FF1153C

частка акцыі: 103

Колькасць LAB / CLB: 3600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 560, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC6SLX150T-3FGG900C

частка акцыі: 323

Колькасць LAB / CLB: 11519, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 147443, Усяго біт аператыўнай памяці: 4939776, Колькасць уводу-вываду: 540, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC5VLX30T-3FFG665C

частка акцыі: 132

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC2VP7-5FGG456I

частка акцыі: 309

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 248, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XCDAISY-FFG1152

частка акцыі: 169

XC4VLX15-10FF676I

частка акцыі: 301

Колькасць LAB / CLB: 1536, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 13824, Усяго біт аператыўнай памяці: 884736, Колькасць уводу-вываду: 320, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC2VP20-5FF1152I

частка акцыі: 126

Колькасць LAB / CLB: 2320, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 20880, Усяго біт аператыўнай памяці: 1622016, Колькасць уводу-вываду: 564, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC5VLX20T-2FF323C

частка акцыі: 272

Колькасць LAB / CLB: 1560, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 19968, Усяго біт аператыўнай памяці: 958464, Колькасць уводу-вываду: 172, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC7K160T-2FBG484I

частка акцыі: 281

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 285, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC5VLX30-3FFG676C

частка акцыі: 180

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1179648, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC4VFX40-10FFG672I

частка акцыі: 168

Колькасць LAB / CLB: 4656, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 41904, Усяго біт аператыўнай памяці: 2654208, Колькасць уводу-вываду: 352, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7K160T-3FFG676E

частка акцыі: 174

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC4VFX12-12SFG363C

частка акцыі: 331

Колькасць LAB / CLB: 1368, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 12312, Усяго біт аператыўнай памяці: 663552, Колькасць уводу-вываду: 240, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC5VLX30T-3FFG323C

частка акцыі: 157

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 172, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC5VSX35T-2FF665C

частка акцыі: 129

Колькасць LAB / CLB: 2720, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 34816, Усяго біт аператыўнай памяці: 3096576, Колькасць уводу-вываду: 360, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC2VP7-5FF896C

частка акцыі: 371

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 396, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,