Убудаваныя - ПЛІС (Праграмуемы масіў брамы)

XC5VLX50-1FF676I

частка акцыі: 187

Колькасць LAB / CLB: 3600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 440, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC5VLX30T-1FFG323I

частка акцыі: 223

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 172, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC7A200T-L2FFG1156E

частка акцыі: 281

Колькасць LAB / CLB: 16825, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 215360, Усяго біт аператыўнай памяці: 13455360, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC2VP7-6FGG456I

частка акцыі: 222

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 248, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC4VFX12-11SF363I

частка акцыі: 337

Колькасць LAB / CLB: 1368, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 12312, Усяго біт аператыўнай памяці: 663552, Колькасць уводу-вываду: 240, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC7K160T-1FFG676C

частка акцыі: 318

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC5VLX50-1FFG1153C

частка акцыі: 109

Колькасць LAB / CLB: 3600, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 46080, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 560, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC6VLX130T-1FFG484C

частка акцыі: 112

Колькасць LAB / CLB: 10000, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 128000, Усяго біт аператыўнай памяці: 9732096, Колькасць уводу-вываду: 240, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC7A200T-2FFG1156I

частка акцыі: 238

Колькасць LAB / CLB: 16825, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 215360, Усяго біт аператыўнай памяці: 13455360, Колькасць уводу-вываду: 500, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC2VP7-6FFG672C

частка акцыі: 295

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 396, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC2VP7-5FG456I

частка акцыі: 360

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 248, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC5VLX20T-2FF323I

частка акцыі: 234

Колькасць LAB / CLB: 1560, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 19968, Усяго біт аператыўнай памяці: 958464, Колькасць уводу-вываду: 172, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC4VLX40-11FF668C

частка акцыі: 109

Колькасць LAB / CLB: 4608, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 41472, Усяго біт аператыўнай памяці: 1769472, Колькасць уводу-вываду: 448, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC4VLX25-10FF668I

частка акцыі: 247

Колькасць LAB / CLB: 2688, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24192, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 448, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC2VP7-6FFG896I

частка акцыі: 189

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 396, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC2VP4-5FF672I

частка акцыі: 375

Колькасць LAB / CLB: 752, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6768, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 348, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC4VLX25-11FF668I

частка акцыі: 209

Колькасць LAB / CLB: 2688, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24192, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 448, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC4VFX12-11SFG363I

частка акцыі: 257

Колькасць LAB / CLB: 1368, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 12312, Усяго біт аператыўнай памяці: 663552, Колькасць уводу-вываду: 240, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC4VFX12-11FFG668I

частка акцыі: 231

Колькасць LAB / CLB: 1368, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 12312, Усяго біт аператыўнай памяці: 663552, Колькасць уводу-вываду: 320, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XCDAISY-FF1152

частка акцыі: 141

XC5VLX30-2FF676C

частка акцыі: 171

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1179648, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC7K160T-L2FBG676I

частка акцыі: 180

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC7K160T-1FBG676I

частка акцыі: 289

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC4VLX25-10SF363C

частка акцыі: 257

Колькасць LAB / CLB: 2688, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 24192, Усяго біт аператыўнай памяці: 1327104, Колькасць уводу-вываду: 240, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC5VLX20T-2FFG323C

частка акцыі: 236

Колькасць LAB / CLB: 1560, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 19968, Усяго біт аператыўнай памяці: 958464, Колькасць уводу-вываду: 172, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC2VP7-6FG456I

частка акцыі: 178

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 248, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC2VP7-6FGG456C

частка акцыі: 271

Колькасць LAB / CLB: 1232, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 11088, Усяго біт аператыўнай памяці: 811008, Колькасць уводу-вываду: 248, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC5VLX30-1FFG676I

частка акцыі: 192

Колькасць LAB / CLB: 2400, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30720, Усяго біт аператыўнай памяці: 1179648, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC2VP4-6FF672I

частка акцыі: 311

Колькасць LAB / CLB: 752, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 6768, Усяго біт аператыўнай памяці: 516096, Колькасць уводу-вываду: 348, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC2VP20-5FF1152C

частка акцыі: 211

Колькасць LAB / CLB: 2320, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 20880, Усяго біт аператыўнай памяці: 1622016, Колькасць уводу-вываду: 564, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC6SLX150-L1FGG900I

частка акцыі: 293

Колькасць LAB / CLB: 11519, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 147443, Усяго біт аператыўнай памяці: 4939776, Колькасць уводу-вываду: 576, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC2VP30-5FFG896C

частка акцыі: 166

Колькасць LAB / CLB: 3424, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 30816, Усяго біт аператыўнай памяці: 2506752, Колькасць уводу-вываду: 556, Напружанне - харчаванне: 1.425V ~ 1.575V,

XC7A200T-L1FBG676I

частка акцыі: 321

Колькасць LAB / CLB: 16825, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 215360, Усяго біт аператыўнай памяці: 13455360, Колькасць уводу-вываду: 400, Напружанне - харчаванне: 0.95V ~ 1.05V,

XC7K160T-2FB484I

частка акцыі: 243

Колькасць LAB / CLB: 12675, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 162240, Усяго біт аператыўнай памяці: 11980800, Колькасць уводу-вываду: 285, Напружанне - харчаванне: 0.97V ~ 1.03V,

XC4VSX25-10FF668C

частка акцыі: 204

Колькасць LAB / CLB: 2560, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 23040, Усяго біт аператыўнай памяці: 2359296, Колькасць уводу-вываду: 320, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,

XC6SLX150T-3FG676C

частка акцыі: 391

Колькасць LAB / CLB: 11519, Колькасць лагічных элементаў / вочак: 147443, Усяго біт аператыўнай памяці: 4939776, Колькасць уводу-вываду: 396, Напружанне - харчаванне: 1.14V ~ 1.26V,