Тырыстары - SCR

Дом
Тырыстары - SCR

WeEn Semiconductors

BT148-400R,127

частка акцыі: 156270

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT168G,112

частка акцыі: 166452

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151-500C,127

частка акцыі: 139588

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT150-500R,127

частка акцыі: 116281

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151-650C,127

частка акцыі: 170938

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT151-1000RT,127

WeEn Semiconductors

BT151-1000RT,127

частка акцыі: 119721

Напружанне - выключанае: 1kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT151X-500C,127

WeEn Semiconductors

BT151X-500C,127

частка акцыі: 162954

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT152X-400R,127

WeEn Semiconductors

BT152X-400R,127

частка акцыі: 166866

Напружанне - выключанае: 450V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151-800C,127

частка акцыі: 142713

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT300S-600R,118

WeEn Semiconductors

BT300S-600R,118

частка акцыі: 101279

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

BT258U-600R,127

WeEn Semiconductors

BT258U-600R,127

частка акцыі: 116203

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.5V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

BT258X-500R,127

WeEn Semiconductors

BT258X-500R,127

частка акцыі: 111997

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

BT152X-600R,127

WeEn Semiconductors

BT152X-600R,127

частка акцыі: 161955

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

BT151U-650C,127

WeEn Semiconductors

BT151U-650C,127

частка акцыі: 118814

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT258X-600R,127

WeEn Semiconductors

BT258X-600R,127

частка акцыі: 187207

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151-500L,127

частка акцыі: 185506

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 5mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT151U-500C,127

WeEn Semiconductors

BT151U-500C,127

частка акцыі: 180380

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT152-500RT,127

WeEn Semiconductors

BT152-500RT,127

частка акцыі: 161945

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

BT258X-800R,127

WeEn Semiconductors

BT258X-800R,127

частка акцыі: 198728

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT168E,112

частка акцыі: 122581

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169H,412

частка акцыі: 161065

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT258-800R,127

частка акцыі: 88284

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

BT151X-650R,127

WeEn Semiconductors

BT151X-650R,127

частка акцыі: 103178

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT152-600R,127

частка акцыі: 67227

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

BT150S-600R,118

WeEn Semiconductors

BT150S-600R,118

частка акцыі: 198489

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4A,

Ліст з жаданняў

BT258S-800R,118

WeEn Semiconductors

BT258S-800R,118

частка акцыі: 110173

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT168GWF,115

частка акцыі: 109839

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 450µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 630mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169G,126

частка акцыі: 100299

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

BT151-500RT,127

WeEn Semiconductors

BT151-500RT,127

частка акцыі: 122113

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 8A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12.5A,

Ліст з жаданняў

BT151X-800R/DG,127

WeEn Semiconductors

BT151X-800R/DG,127

частка акцыі: 103177

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT152X-800R,127

WeEn Semiconductors

BT152X-800R,127

частка акцыі: 63185

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

BT151S-500R,118

WeEn Semiconductors

BT151S-500R,118

частка акцыі: 118834

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

BT148W-600R,115

WeEn Semiconductors

BT148W-600R,115

частка акцыі: 150937

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.5V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 600mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 1A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT258-500R,127

частка акцыі: 88283

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT148-600R,127

частка акцыі: 124119

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4A,

Ліст з жаданняў

BT258S-800LT,118

WeEn Semiconductors

BT258S-800LT,118

частка акцыі: 129154

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 50µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

119

«
1
2
3
4
»