Тырыстары - SCR | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 4

BT155W-1200TQ

частка акцыі: 27148

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 50mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.5V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 79A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169G,112

частка акцыі: 166450

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT155K-1200TQ

частка акцыі: 25634

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 50mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.5V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 79A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT152-800R,127

частка акцыі: 65448

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151-650R,127

частка акцыі: 104683

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT152B-400R,118

частка акцыі: 113450

Напружанне - выключанае: 450V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT152B-800R,118

частка акцыі: 107133

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151-800R,127

частка акцыі: 100326

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151X-500R,127

частка акцыі: 104622

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151-500R,127

частка акцыі: 130784

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151S-800R,118

частка акцыі: 134759

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT145-800R,127

частка акцыі: 45243

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 35mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.5V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT258-600R,127

частка акцыі: 88239

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.6V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 8A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT158W-1200TQ

частка акцыі: 7835

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 70mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.65V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 80A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 126A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT155Z-1200TQ

частка акцыі: 7788

Напружанне - выключанае: 1.2kV, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 50mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.5V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 50A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 79A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT145-800RTQ

частка акцыі: 7798

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 10mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.5V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169HML

частка акцыі: 153306

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169G-MQP

частка акцыі: 115796

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 60µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169DEP

частка акцыі: 101527

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151S-650SJ

частка акцыі: 149113

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT145X-800RQ

частка акцыі: 149669

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 35mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.5V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 16A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 25A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT152-400R,127

частка акцыі: 69180

Напружанне - выключанае: 450V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 32mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 13A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 20A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169H/L01EP

частка акцыі: 175388

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169H/01U

частка акцыі: 116060

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 100µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169G/DG,126

частка акцыі: 157708

Напружанне - выключанае: 600V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169D/DG,126

частка акцыі: 177860

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT169D-L,112

частка акцыі: 129303

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 50µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151X-800C,127

частка акцыі: 184973

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151X-650C,127

частка акцыі: 150537

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT149D,112

частка акцыі: 187790

Напружанне - выключанае: 400V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 800mV, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.7V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 500mA, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 800mA,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151S-500L,118

частка акцыі: 135580

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 5mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151S-650L,118

частка акцыі: 171046

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 5mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151-650L,127

частка акцыі: 130895

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 5mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT151U-800C,127

частка акцыі: 128555

Напружанне - выключанае: 800V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BTH151S-650R,118

частка акцыі: 186521

Напружанне - выключанае: 650V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 15mA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.75V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 7.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 12A,

Ліст з жаданняў

WeEn Semiconductors

BT148-500R,127

частка акцыі: 101330

Напружанне - выключанае: 500V, Напружанне - спускавы механізм засаўкі (Vgt) (макс.): 1.5V, Ток - спускавы механізм засаўкі (Igt) (макс.): 200µA, Напружанне - у стане (Vtm) (макс.): 1.8V, Бягучы - у стане (It (AV)) (макс.): 2.5A, Бягучы - у стане (It (RMS)) (макс.): 4A,

Ліст з жаданняў