Дыёды - моставыя выпрамнікі

G2SB80-E3/51

G2SB80-E3/51

частка акцыі: 161616

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 750mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 600V,

GBLA01-E3/45

GBLA01-E3/45

частка акцыі: 156252

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

GBLA02-E3/45

GBLA02-E3/45

частка акцыі: 156262

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Avalanche, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

GBLA10-M3/51

GBLA10-M3/51

частка акцыі: 126691

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

G2SB20-E3/51

G2SB20-E3/51

частка акцыі: 112683

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 750mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

G2SB20-E3/45

G2SB20-E3/45

частка акцыі: 120678

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 750mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

VS-70MT120KPBF

VS-70MT120KPBF

частка акцыі: 1124

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A,

GSIB2020N-M3/45

GSIB2020N-M3/45

частка акцыі: 54493

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

GSIB660N-M3/45

GSIB660N-M3/45

частка акцыі: 64889

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

GSIB1540N-M3/45

GSIB1540N-M3/45

частка акцыі: 54527

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

VS-2KBB60

VS-2KBB60

частка акцыі: 95325

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.9A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.9A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

GBLA06-E3/45

GBLA06-E3/45

частка акцыі: 156244

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

VS-90MT120KPBF

VS-90MT120KPBF

частка акцыі: 1197

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1.2kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 90A,

RMB2S-E3/80

RMB2S-E3/80

частка акцыі: 156982

Дыёдны тып: Three Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

LVE1560-M3/P

LVE1560-M3/P

частка акцыі: 64

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 7.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

GBLA08-E3/45

GBLA08-E3/45

частка акцыі: 156231

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

GBL08-M3/51

GBL08-M3/51

частка акцыі: 117707

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 2A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

GBLA06-M3/45

GBLA06-M3/45

частка акцыі: 126698

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 600V,

GSIB6A80-E3/45

GSIB6A80-E3/45

частка акцыі: 80200

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 800V,

GBL10-M3/51

GBL10-M3/51

частка акцыі: 117664

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1000V,

GSIB6A20-E3/45

GSIB6A20-E3/45

частка акцыі: 86428

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

GSIB620N-M3/45

GSIB620N-M3/45

частка акцыі: 64923

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 200V,

GSIB6A40N-M3/45

GSIB6A40N-M3/45

частка акцыі: 72874

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

G2SB60-M3/45

G2SB60-M3/45

частка акцыі: 142421

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 750mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

VS-2KBB10

VS-2KBB10

частка акцыі: 39441

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.9A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1.9A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 100V,

G2SB60-M3/51

G2SB60-M3/51

частка акцыі: 132931

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 750mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

GBL04-E3/45

GBL04-E3/45

частка акцыі: 138924

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 400V,

VS-2KBP10

VS-2KBP10

частка акцыі: 57249

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 1kV, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A,

GBL01-M3/45

GBL01-M3/45

частка акцыі: 117637

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,

MB2M-E3/45

MB2M-E3/45

частка акцыі: 162046

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 400mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

G2SB80-E3/45

G2SB80-E3/45

частка акцыі: 173208

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 750mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50µA @ 600V,

G2SB60-E3/45

G2SB60-E3/45

частка акцыі: 173154

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 750mA, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 200V,

GBLA08-M3/45

GBLA08-M3/45

частка акцыі: 126715

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 800V,

GSIB2560N-M3/45

GSIB2560N-M3/45

частка акцыі: 46473

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 12.5A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 600V,

GSIB640-E3/45

GSIB640-E3/45

частка акцыі: 76616

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2.8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 3A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 400V,

GBLA01-E3/51

GBLA01-E3/51

частка акцыі: 145863

Дыёдны тып: Single Phase, Тэхналогія: Standard, Напружанне - пік, зваротны (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 4A, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 100V,