Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-G3-08

частка акцыі: 185466

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 150mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-08

частка акцыі: 175504

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAL99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-18

частка акцыі: 164062

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-18

частка акцыі: 178973

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS18

частка акцыі: 153471

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAV201-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV201-GS18

частка акцыі: 172005

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS08

частка акцыі: 158649

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
VS-1N3891R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3891R

частка акцыі: 14617

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 300ns,

Ліст з жаданняў
VS-70HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120

частка акцыі: 9505

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 220A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-300U30A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300U30A

частка акцыі: 1921

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 300V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 300A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 942A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-240UR80D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240UR80D

частка акцыі: 1530

Дыёдны тып: Standard, Reverse Polarity, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 320A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 750A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-20ETS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS08SPBF

частка акцыі: 25294

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 95ns,

Ліст з жаданняў
VS-18TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045SPBF

частка акцыі: 43609

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 18A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 18A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-1N3209
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3209

частка акцыі: 12937

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 15A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-40HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL100S05

частка акцыі: 5411

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.95V @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 500ns,

Ліст з жаданняў
VS-15TT100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15TT100

частка акцыі: 125688

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 920mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-20ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF12FP-M3

частка акцыі: 11184

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.31V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 400ns,

Ліст з жаданняў
EGL41B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41B/1

частка акцыі: 198616

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
UH1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH1PD-M3/85A

частка акцыі: 190343

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 40ns,

Ліст з жаданняў
VS-20ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS12S-M3

частка акцыі: 33360

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD1100C12C

частка акцыі: 1247

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1400A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.31V @ 1500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GP10J-4005HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005HE3/54

частка акцыі: 161380

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL34G/51

частка акцыі: 119255

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
MUR160/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR160/54

частка акцыі: 161367

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
VS-1N3893
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3893

частка акцыі: 10697

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 12A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 300ns,

Ліст з жаданняў
VS-20ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF04-M3

частка акцыі: 10805

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 160ns,

Ліст з жаданняў
RGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

RGL34D/1

частка акцыі: 134851

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 500mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 500mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 150ns,

Ліст з жаданняў
VS-40HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF100

частка акцыі: 7355

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 125A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

SD453N16S30PC

частка акцыі: 664

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 450A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.85V @ 1500A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 3µs,

Ліст з жаданняў
EGL41D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41D/1

частка акцыі: 141735

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
GP10K-4006EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10K-4006EHE3/54

частка акцыі: 117977

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-ETH1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETH1506S-M3

частка акцыі: 46686

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.45V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 29ns,

Ліст з жаданняў
VS-40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF60

частка акцыі: 8993

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 125A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GP10J-4005EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005EHE3/54

частка акцыі: 133740

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
GL41Y/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41Y/1

частка акцыі: 114302

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-240U120D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240U120D

частка акцыі: 1800

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 320A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.33V @ 750A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў