Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - выпрамнікі - адзінкавыя
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

частка акцыі: 163646

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 1.5A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

частка акцыі: 164701

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 25V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

частка акцыі: 120803

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

частка акцыі: 32260

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

частка акцыі: 152834

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

частка акцыі: 179080

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 200mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

частка акцыі: 111335

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 75V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 150mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

частка акцыі: 106669

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

частка акцыі: 155089

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

частка акцыі: 142318

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

частка акцыі: 170231

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 200mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 100mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Зваротны час аднаўлення (trr): 5ns,

Ліст з жаданняў
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

частка акцыі: 136941

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 70V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 70mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15mA, Хуткасць: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Ліст з жаданняў
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

частка акцыі: 34922

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

частка акцыі: 34902

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 500mV @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

частка акцыі: 101393

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

частка акцыі: 123083

Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

частка акцыі: 116833

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.4V @ 1.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

частка акцыі: 158520

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 2400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 350mA, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 3.6V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 5µs,

Ліст з жаданняў
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

частка акцыі: 193530

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.25A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.5V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 100ns,

Ліст з жаданняў
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

частка акцыі: 170950

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 250mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 100mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 50ns,

Ліст з жаданняў
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

частка акцыі: 122124

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1.4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

частка акцыі: 153002

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 600mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 400mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

частка акцыі: 121947

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

частка акцыі: 187035

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

частка акцыі: 129989

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 3A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 2µs,

Ліст з жаданняў
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

частка акцыі: 171441

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

частка акцыі: 152678

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 200ns,

Ліст з жаданняў
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

частка акцыі: 122331

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.35V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 250ns,

Ліст з жаданняў
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

частка акцыі: 144972

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

частка акцыі: 183532

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 1A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 4µs,

Ліст з жаданняў
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

частка акцыі: 134544

Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 600mA (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.25V @ 400mA, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 6ns,

Ліст з жаданняў
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

частка акцыі: 169957

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 30ns,

Ліст з жаданняў
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

частка акцыі: 177773

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 300ns,

Ліст з жаданняў
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

частка акцыі: 121386

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 1A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.5V @ 1A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 75ns,

Ліст з жаданняў
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

частка акцыі: 139081

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 165V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.07V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

частка акцыі: 181381

Дыёдны тып: Avalanche, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.07V @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Зваротны час аднаўлення (trr): 25ns,

Ліст з жаданняў