Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

  • Дом
  •  
  • Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя
BZG05B24-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B24-E3-TR

частка акцыі: 6847

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B22-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-HE3-TR3

частка акцыі: 6817

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B22-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-E3-TR3

частка акцыі: 6843

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B22-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-HE3-TR

частка акцыі: 6832

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B20-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-HE3-TR3

частка акцыі: 6904

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B22-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B22-E3-TR

частка акцыі: 6907

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 16V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B20-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-E3-TR3

частка акцыі: 3771

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B20-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-HE3-TR

частка акцыі: 6901

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B20-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B20-E3-TR

частка акцыі: 6858

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 24 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 15V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B18-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-HE3-TR3

частка акцыі: 3772

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B18-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-E3-TR3

частка акцыі: 6837

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B18-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-HE3-TR

частка акцыі: 6886

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B18-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B18-E3-TR

частка акцыі: 6883

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 13V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B16-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-HE3-TR3

частка акцыі: 6821

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B16-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-E3-TR3

частка акцыі: 6814

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B16-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-HE3-TR

частка акцыі: 6853

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B16-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B16-E3-TR

частка акцыі: 6887

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 16V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 12V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B15-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-HE3-TR

частка акцыі: 6843

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B15-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-HE3-TR3

частка акцыі: 6849

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B15-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-E3-TR3

частка акцыі: 6907

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B15-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B15-E3-TR

частка акцыі: 6870

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 11V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B13-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-HE3-TR

частка акцыі: 6863

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B13-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-HE3-TR3

частка акцыі: 3700

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B13-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-E3-TR3

частка акцыі: 6858

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B13-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B13-E3-TR

частка акцыі: 6825

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 10V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B12-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-HE3-TR3

частка акцыі: 6899

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B12-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-HE3-TR

частка акцыі: 6864

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B12-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-E3-TR3

частка акцыі: 6843

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B12-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B12-E3-TR

частка акцыі: 6860

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 9 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B11-HE3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-HE3-TR

частка акцыі: 6838

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B11-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-HE3-TR3

частка акцыі: 6818

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B11-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-E3-TR3

частка акцыі: 6901

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B11-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B11-E3-TR

частка акцыі: 6820

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 8.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B10-HE3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-HE3-TR3

частка акцыі: 6902

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B10-E3-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-E3-TR3

частка акцыі: 6860

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў
BZG05B10-E3-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZG05B10-E3-TR

частка акцыі: 6898

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 1.25W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

Ліст з жаданняў