Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

1N5266B-TR

1N5266B-TR

частка акцыі: 149690

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 230 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 52V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5234B-TAP

1N5234B-TAP

частка акцыі: 118668

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5256B-TAP

1N5256B-TAP

частка акцыі: 186729

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 49 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 23V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5267B-TR

1N5267B-TR

частка акцыі: 141701

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 270 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5221B-TAP

1N5221B-TAP

частка акцыі: 171994

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5229B-TAP

1N5229B-TAP

частка акцыі: 104140

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4747A-TAP

1N4747A-TAP

частка акцыі: 193620

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 15.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4738A-TR

1N4738A-TR

частка акцыі: 127269

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5241B-TR

1N5241B-TR

частка акцыі: 152815

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 22 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4759A-TAP

1N4759A-TAP

частка акцыі: 121728

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 47.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5243B-TR

1N5243B-TR

частка акцыі: 112157

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 13 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 500nA @ 9.9V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4759A-TR

1N4759A-TR

частка акцыі: 107469

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 125 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 47.1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5237B-TR

1N5237B-TR

частка акцыі: 111169

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4741A-TAP

1N4741A-TAP

частка акцыі: 179480

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 8.4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4756A-TAP

1N4756A-TAP

частка акцыі: 169425

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 35.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4757A-TAP

1N4757A-TAP

частка акцыі: 152966

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.31W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5240B-TAP

1N5240B-TAP

частка акцыі: 121985

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5254B-TAP

1N5254B-TAP

частка акцыі: 148671

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 41 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 21V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4740A-TAP

1N4740A-TAP

частка акцыі: 141298

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 7 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7.6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4760A-TAP

1N4760A-TAP

частка акцыі: 138139

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 51.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4751A-TAP

1N4751A-TAP

частка акцыі: 146570

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 30V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 22.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4757A-TR

1N4757A-TR

частка акцыі: 178940

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 38.8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4739A-TR

1N4739A-TR

частка акцыі: 161566

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4738A-TAP

1N4738A-TAP

частка акцыі: 107214

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 6V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4728A-TR

1N4728A-TR

частка акцыі: 142307

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 10 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100µA @ 1V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4764A-TAP

1N4764A-TAP

частка акцыі: 103991

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 100V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 350 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 76V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4754A-TAP

1N4754A-TAP

частка акцыі: 108179

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 60 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 29.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4763A-TAP

1N4763A-TAP

частка акцыі: 107631

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 9.1V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 250 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 69.2V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4736A-TR

1N4736A-TR

частка акцыі: 129804

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 3.5 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 4V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4760A-TR

1N4760A-TR

частка акцыі: 193454

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 68V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 150 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 51.7V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N4761A-TAP

1N4761A-TAP

частка акцыі: 106193

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 175 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5252B-TR

1N5252B-TR

частка акцыі: 193806

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 24V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 33 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 18V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5237B-TAP

1N5237B-TAP

частка акцыі: 149962

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 6.5V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N5264B-TR

1N5264B-TR

частка акцыі: 123873

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 60V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 170 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 46V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,

1N4761A-TR

1N4761A-TR

частка акцыі: 118056

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 1.3W, Імпеданс (макс.) (Zzt): 175 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 56V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 200mA,

1N5240B-TR

1N5240B-TR

частка акцыі: 148706

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 10V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 500mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 17 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 8V, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.1V @ 200mA,