Дыёды - стабилитроны - адзінкавыя

BZX384B75-G3-18

BZX384B75-G3-18

частка акцыі: 108483

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 75V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 255 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 52.5V,

BZX384C20-G3-18

BZX384C20-G3-18

частка акцыі: 166163

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V,

BZX384C20-HE3-18

BZX384C20-HE3-18

частка акцыі: 166993

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 55 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 14V,

BZT52C2V4-G3-18

BZT52C2V4-G3-18

частка акцыі: 158761

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.4V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 85 Ohms,

BZX384C5V6-HE3-18

BZX384C5V6-HE3-18

частка акцыі: 148171

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 5.6V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 1µA @ 2V,

BZT52C7V5-HE3-18

BZT52C7V5-HE3-18

частка акцыі: 100059

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 7.5V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 5V,

BZX384C4V3-HE3-08

BZX384C4V3-HE3-08

частка акцыі: 156993

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V,

BZT52B33-G3-18

BZT52B33-G3-18

частка акцыі: 171594

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 33V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 40 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 25V,

BZX384B4V3-G3-18

BZX384B4V3-G3-18

частка акцыі: 102850

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V,

BZX384C8V2-G3-18

BZX384C8V2-G3-18

частка акцыі: 150572

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 8.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 700nA @ 5V,

BZX384B62-G3-08

BZX384B62-G3-08

частка акцыі: 158270

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 62V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 215 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 43.4V,

BZT52C39-G3-08

BZT52C39-G3-08

частка акцыі: 109208

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 39V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 50 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 29V,

BZX384C12-HE3-18

BZX384C12-HE3-18

частка акцыі: 160498

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 12V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V,

BZX384C2V7-G3-08

BZX384C2V7-G3-08

частка акцыі: 114659

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 2.7V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 100 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 20µA @ 1V,

BZT52C47-E3-18

BZT52C47-E3-18

частка акцыі: 131865

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 47V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 35V,

BZX384B6V8-HE3-08

BZX384B6V8-HE3-08

частка акцыі: 143830

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.8V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 15 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 2µA @ 4V,

BZX384B15-HE3-08

BZX384B15-HE3-08

частка акцыі: 140695

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 15V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 10.5V,

BZT52C51-HE3-08

BZT52C51-HE3-08

частка акцыі: 166155

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 51V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 70 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 38V,

BZT52B27-G3-08

BZT52B27-G3-08

частка акцыі: 133896

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 27V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 20V,

BZX384C11-E3-18

BZX384C11-E3-18

частка акцыі: 195920

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V,

BZX384C13-E3-18

BZX384C13-E3-18

частка акцыі: 119707

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 13V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 30 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V,

BZX384B18-E3-18

BZX384B18-E3-18

частка акцыі: 122366

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 18V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 45 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 12.6V,

BZX384B56-HE3-18

BZX384B56-HE3-18

частка акцыі: 132077

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 200 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 50nA @ 39.2V,

BZT52B20-E3-18

BZT52B20-E3-18

частка акцыі: 138462

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V,

BZT52C56-HE3-18

BZT52C56-HE3-18

частка акцыі: 111314

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 56V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 135 Ohms,

BZT52B3V0-HE3-08

BZT52B3V0-HE3-08

частка акцыі: 191863

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

BZX384B3V6-HE3-18

BZX384B3V6-HE3-18

частка акцыі: 175704

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.6V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 5µA @ 1V,

BZT52C22-G3-08

BZT52C22-G3-08

частка акцыі: 154761

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 22V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 25 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 17V,

BZT52B3V9-HE3-18

BZT52B3V9-HE3-18

частка акцыі: 123942

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3.9V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

BZT52C6V2-G3-18

BZT52C6V2-G3-18

частка акцыі: 106711

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 6.2V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 4.8 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 2V,

BZT52C20-E3-18

BZT52C20-E3-18

частка акцыі: 187151

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 20V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 15V,

BZT52C3V0-HE3-08

BZT52C3V0-HE3-08

частка акцыі: 140125

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

BZX384B4V3-E3-08

BZX384B4V3-E3-08

частка акцыі: 142218

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 4.3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 90 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 3µA @ 1V,

BZX384B11-HE3-18

BZX384B11-HE3-18

частка акцыі: 119902

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 11V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 20 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 100nA @ 8V,

BZT52B3V0-E3-08

BZT52B3V0-E3-08

частка акцыі: 170654

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 410mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 80 Ohms,

BZX384B3V0-HE3-08

BZX384B3V0-HE3-08

частка акцыі: 102005

Напружанне - стабілітрон (Nom) (Vz): 3V, Талерантнасць: ±2%, Магутнасць - Макс: 200mW, Імпеданс (макс.) (Zzt): 95 Ohms, Ток - зваротная ўцечка @ Vr: 10µA @ 1V,