Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Інтэрфейс - аналагавыя камутатары, мультыплексары,

  • Дом
  •  
  • Інтэрфейс - аналагавыя камутатары, мультыплексары,
DG212BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG212BDQ-T1-E3

частка акцыі: 79942

Схема пераключэння: SPST - NO, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 85 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 2 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 4.5V ~ 25V,

Ліст з жаданняў
DG3536DB-T5-E1
Vishay Siliconix

DG3536DB-T5-E1

частка акцыі: 90437

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 2, Супраціў у стане (макс.): 400 mOhm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 50 mOhm (Max), Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 2.7V ~ 3.3V,

Ліст з жаданняў
DG419LEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG419LEDQ-T1-GE3

частка акцыі: 16582

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 18 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 3V ~ 16V,

Ліст з жаданняў
DG308BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG308BDY-T1-E3

частка акцыі: 63847

Схема пераключэння: SPST - NO, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 85 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 1.7 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 4V ~ 44V,

Ліст з жаданняў
DG9408EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG9408EDN-T1-GE4

частка акцыі: 63849

Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 8:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 7 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 3.6 Ohm (Max), Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 2.7V ~ 12V,

Ліст з жаданняў
DG611EEQ-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG611EEQ-T1-GE4

частка акцыі: 9978

Схема пераключэння: SPST - NC, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 115 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 2.5 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 3V ~ 12V,

Ліст з жаданняў
DG2517EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2517EDN-T1-GE4

частка акцыі: 98649

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 2, Супраціў у стане (макс.): 3.1 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 10 mOhm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.8V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў
DG508BEN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG508BEN-T1-GE4

частка акцыі: 72413

Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 8:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 380 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 10 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 12V,

Ліст з жаданняў
DG412LEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG412LEDQ-T1-GE3

частка акцыі: 98646

Схема пераключэння: SPST - NO, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 26 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 3V ~ 16V,

Ліст з жаданняў
DG309BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG309BDQ-T1-E3

частка акцыі: 67880

Схема пераключэння: SPST - NC, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 85 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 1.7 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 4V ~ 44V,

Ліст з жаданняў
DG409LEDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG409LEDN-T1-GE4

частка акцыі: 98632

Схема пераключэння: SP4T, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 4:1, Колькасць ланцугоў: 2, Супраціў у стане (макс.): 23 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 1 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 3V ~ 16V,

Ліст з жаданняў
DG2788ADN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2788ADN-T1-GE4

частка акцыі: 178652

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 2, Супраціў у стане (макс.): 500 mOhm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 50 mOhm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.8V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў
DG413DY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG413DY-T1-E3

частка акцыі: 85468

Схема пераключэння: SPST - NO/NC, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 35 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 5V ~ 44V,

Ліст з жаданняў
DG441LEDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG441LEDY-T1-GE3

частка акцыі: 137745

Схема пераключэння: SPST - NC, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 26 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 100 mOhm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 3V ~ 16V,

Ліст з жаданняў
DG411DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG411DQ-T1-E3

частка акцыі: 73378

Схема пераключэння: SPST - NC, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 35 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 5V ~ 44V,

Ліст з жаданняў
DG2032EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2032EDN-T1-GE4

частка акцыі: 121714

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 2, Супраціў у стане (макс.): 3.1 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 10 mOhm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.8V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў
DG212BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG212BDY-T1-E3

частка акцыі: 87079

Схема пераключэння: SPST - NO, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 1:1, Колькасць ланцугоў: 4, Супраціў у стане (макс.): 85 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 2 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 4.5V ~ 25V,

Ліст з жаданняў
DG4157EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG4157EDN-T1-GE4

частка акцыі: 157

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 1.2 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 120 mOhm (Max), Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.65V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў
DG2001EDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG2001EDV-T1-GE3

частка акцыі: 134

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 1.6 Ohm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.8V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў
DG2002EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG2002EDL-T1-GE3

частка акцыі: 108

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 8 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 40 mOhm (Typ), Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.8V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў
DG4157EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG4157EDL-T1-GE3

частка акцыі: 9983

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 1.2 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 120 mOhm (Max), Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.65V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў
DG3157EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG3157EDL-T1-GE3

частка акцыі: 121

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 9 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 90 mOhm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.65V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў
DG3257DN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG3257DN-T1-GE4

частка акцыі: 155258

Схема пераключэння: SPDT, Схема мультыплексара / дэмультыплексара: 2:1, Колькасць ланцугоў: 1, Супраціў у стане (макс.): 6 Ohm, Супадзенне паміж каналамі (ΔRon): 600 mOhm, Напружанне - харчаванне, адзінкавае (V +): 1.65V ~ 5.5V,

Ліст з жаданняў