Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Транзістары - JFET

  • Дом
  •  
  • Транзістары - JFET
2N4338-E3
Vishay Siliconix

2N4338-E3

частка акцыі: 3417

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2N4338-2
Vishay Siliconix

2N4338-2

частка акцыі: 3405

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2N4119A-E3
Vishay Siliconix

2N4119A-E3

частка акцыі: 3409

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
2N4338
Vishay Siliconix

2N4338

частка акцыі: 3466

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 50V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 100nA,

Ліст з жаданняў
2N4119A-2
Vishay Siliconix

2N4119A-2

частка акцыі: 3467

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
2N4119A
Vishay Siliconix

2N4119A

частка акцыі: 3447

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
2N4118A-E3
Vishay Siliconix

2N4118A-E3

частка акцыі: 3421

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
2N4118A-2
Vishay Siliconix

2N4118A-2

частка акцыі: 3469

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
2N4117A-E3
Vishay Siliconix

2N4117A-E3

частка акцыі: 3467

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
2N4118A
Vishay Siliconix

2N4118A

частка акцыі: 3449

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
2N4117A-2
Vishay Siliconix

2N4117A-2

частка акцыі: 3464

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 600mV @ 1nA,

Ліст з жаданняў
U430
Vishay Siliconix

U430

частка акцыі: 3454

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
SST4119-T1-E3
Vishay Siliconix

SST4119-T1-E3

частка акцыі: 3472

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
SST204-E3
Vishay Siliconix

SST204-E3

частка акцыі: 3473

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
SST5462-T1-E3
Vishay Siliconix

SST5462-T1-E3

частка акцыі: 3451

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.8V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
U441-E3
Vishay Siliconix

U441-E3

частка акцыі: 3378

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
SST4416-T1-E3
Vishay Siliconix

SST4416-T1-E3

частка акцыі: 3392

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
SST4416-E3
Vishay Siliconix

SST4416-E3

частка акцыі: 5416

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 3V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
U431
Vishay Siliconix

U431

частка акцыі: 3416

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
U430-E3
Vishay Siliconix

U430-E3

частка акцыі: 3456

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
SST5461-T1-E3
Vishay Siliconix

SST5461-T1-E3

частка акцыі: 3416

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1µA,

Ліст з жаданняў
SST5484-E3
Vishay Siliconix

SST5484-E3

частка акцыі: 3467

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
SST174-E3
Vishay Siliconix

SST174-E3

частка акцыі: 3491

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
SST4118-T1-E3
Vishay Siliconix

SST4118-T1-E3

частка акцыі: 3419

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
U290
Vishay Siliconix

U290

частка акцыі: 3416

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 4V @ 3nA,

Ліст з жаданняў
U291-E3
Vishay Siliconix

U291-E3

частка акцыі: 3446

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1.5V @ 3nA,

Ліст з жаданняў
U440
Vishay Siliconix

U440

частка акцыі: 3408

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
SST201-T1-E3
Vishay Siliconix

SST201-T1-E3

частка акцыі: 3495

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 40V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
U440-E3
Vishay Siliconix

U440-E3

частка акцыі: 3482

Тып FET: 2 N-Channel (Dual), Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 1V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
U310-E3
Vishay Siliconix

U310-E3

частка акцыі: 3448

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2.5V @ 1nA,

Ліст з жаданняў
SST5484-T1-E3
Vishay Siliconix

SST5484-T1-E3

частка акцыі: 3522

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
SST5486-E3
Vishay Siliconix

SST5486-E3

частка акцыі: 3410

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
SST204-T1-E3
Vishay Siliconix

SST204-T1-E3

частка акцыі: 3454

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 300mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
SST5485-E3
Vishay Siliconix

SST5485-E3

частка акцыі: 3434

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 500mV @ 10nA,

Ліст з жаданняў
SST5486-T1-E3
Vishay Siliconix

SST5486-T1-E3

частка акцыі: 3433

Тып FET: N-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 25V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 2V @ 10nA,

Ліст з жаданняў
SST174-T1-E3
Vishay Siliconix

SST174-T1-E3

частка акцыі: 3480

Тып FET: P-Channel, Напружанне - прабой (V (BR) GSS): 30V, Ток - зліў (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, Напружанне - адключэнне (VGS адключана) @ Id: 5V @ 10nA,

Ліст з жаданняў