Дыёды - Выпрамнікі - Масівы | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 97

VS-42CTQ030SPBF

частка акцыі: 23713

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 480mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81CNQ040ASLPBF

частка акцыі: 11433

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30GP-E3/45

частка акцыі: 29718

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045PBF

частка акцыі: 32165

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20100CT-1

частка акцыі: 3700

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA16TA60CSTRR

частка акцыі: 3681

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ150PBF

частка акцыі: 11375

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030PBF

частка акцыі: 22299

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 480mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-87CNQ020ASMPBF

частка акцыі: 11209

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA200MD40C

частка акцыі: 3637

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 172A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR20H150CT-E3/45

частка акцыі: 94396

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 900mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC91/12A

частка акцыі: 3532

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR3020WT

частка акцыі: 3602

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.05V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ91/08A

частка акцыі: 3604

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30DPT-E3/45

частка акцыі: 34487

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.15V @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L15CT-1PBF

частка акцыі: 30881

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 410mV @ 19A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ035PBF

частка акцыі: 47965

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 710mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CTTRL

частка акцыі: 4444

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB2020CTPBF

частка акцыі: 45520

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CTQ150PBF

частка акцыі: 18826

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD91/06A

частка акцыі: 3647

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR3045CT-1PBF

частка акцыі: 44621

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB3045CTTRR

частка акцыі: 3626

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA280NJ60C

частка акцыі: 3652

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 222A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.6V @ 140A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ080-1PBF

частка акцыі: 39244

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 860mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD166/14

частка акцыі: 3595

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 165A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKJ270-12

частка акцыі: 3593

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 270A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC56/16A

частка акцыі: 3638

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKDL240-12S20

частка акцыі: 3639

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.57V @ 800A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD91/12A

частка акцыі: 3622

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTTRL

частка акцыі: 3641

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB1620CTTRR

частка акцыі: 3728

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA16TA60CPBF

частка акцыі: 20713

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD196/08

частка акцыі: 3574

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 195A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC56/10A

частка акцыі: 4387

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў

Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA16TA60CS

частка акцыі: 4411

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.7V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў