Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
VSKD600-12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD600-12

частка акцыі: 3624

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 600A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.24V @ 1800A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ040PBF

частка акцыі: 53914

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
IRKD56/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD56/08A

частка акцыі: 3563

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MURB2020CT-1
Vishay Semiconductor Diodes Division

MURB2020CT-1

частка акцыі: 3607

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 850mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
HFA120MD40C
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA120MD40C

частка акцыі: 3594

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 111A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 60A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30CPQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ040PBF

частка акцыі: 29231

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 540mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MUR1020CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR1020CT

частка акцыі: 3664

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 990mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRD660CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRD660CT

частка акцыі: 3688

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRB2535CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2535CTTRL

частка акцыі: 4430

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V60100C-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60100C-E3/45

частка акцыі: 3842

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 30A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 790mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-47CTQ020SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020SPBF

частка акцыі: 33641

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
IRKC196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC196/08

частка акцыі: 3570

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 195A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSKDL240-10S10
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKDL240-10S10

частка акцыі: 3588

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.57V @ 800A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CWQ10FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FN-M3

частка акцыі: 76378

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSKJ320-16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKJ320-16

частка акцыі: 3662

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 320A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSKJ320-12
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKJ320-12

частка акцыі: 4378

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 320A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
IRKJ91/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ91/14A

частка акцыі: 3593

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRB2045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2045CTTRR

частка акцыі: 3664

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSKD250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD250-08

частка акцыі: 3651

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 250A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ040PBF

частка акцыі: 67894

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-83CNQ100ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-83CNQ100ASMPBF

частка акцыі: 11322

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 40A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-40CPQ050PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CPQ050PBF

частка акцыі: 16878

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBR2080CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2080CTPBF

частка акцыі: 3695

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
IRKC56/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC56/04A

частка акцыі: 3599

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSKD270-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD270-08

частка акцыі: 3578

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 800V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 270A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB2535CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2535CTPBF

частка акцыі: 42942

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 30A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSKD270-30
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD270-30

частка акцыі: 3605

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 3000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 270A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-40CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045PBF

частка акцыі: 26279

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
IRKC56/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKC56/06A

частка акцыі: 3608

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 60A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBR1545CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1545CT/45

частка акцыі: 3685

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
IRKD71/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD71/16A

частка акцыі: 3570

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 80A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRD650CT
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRD650CT

частка акцыі: 3718

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB1535CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1535CTPBF

частка акцыі: 75131

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 840mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSKC320-16
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKC320-16

частка акцыі: 3577

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 320A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VSKC320-20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKC320-20

частка акцыі: 3614

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 2000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 320A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
UFB200FA40
Vishay Semiconductor Diodes Division

UFB200FA40

частка акцыі: 3644

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 100A (DC), Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.24V @ 100A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў