Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
VS-30CTQ045-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045-1HM3

частка акцыі: 61675

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VBT1060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT1060C-M3/4W

частка акцыі: 118329

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VB30M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB30M120C-E3/4W

частка акцыі: 103232

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 980mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MURB1620CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTR-M3

частка акцыі: 157

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKD600-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD600-12PBF

частка акцыі: 313

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 300A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CWQ10FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRL-M3

частка акцыі: 179390

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-32CTQ030-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030-1-M3

частка акцыі: 82074

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VBT4045C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VBT4045C-M3/8W

частка акцыі: 49791

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6CWQ06FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTRRHM3

частка акцыі: 83475

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 760mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKJ320-20PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKJ320-20PBF

частка акцыі: 461

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Anode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 2000V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBR40L15CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR40L15CW-N3

частка акцыі: 11403

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 15V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 420mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-CPH6006L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-CPH6006L-M3

частка акцыі: 30344

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 2.45V @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-48CTQ060STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-48CTQ060STRL-M3

частка акцыі: 58012

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 610mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-47CTQ020STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020STRR-M3

частка акцыі: 55887

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKC166/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC166/04PBF

частка акцыі: 1337

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 165A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKD320-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD320-16PBF

частка акцыі: 461

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 160A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKC320-12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKC320-12PBF

частка акцыі: 448

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Series Connection, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 40A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-16CTU04HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTU04HN3

частка акцыі: 61312

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 400V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.3V @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB20100CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTRHM3

частка акцыі: 72593

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30CTQ060S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ060S-M3

частка акцыі: 88301

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-43CTQ100SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100SHM3

частка акцыі: 49774

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ03FNTRL-M3

частка акцыі: 188499

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 470mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VB20150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

VB20150C-M3/8W

частка акцыі: 98087

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-20CTQ150STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ150STRL-M3

частка акцыі: 76884

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 150V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 880mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30CTQ035STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035STRLHM3

частка акцыі: 51106

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6CWQ04FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRLHM3

частка акцыі: 83921

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CWQ04FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRRHM3

частка акцыі: 65219

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-15CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ045STRR-M3

частка акцыі: 89832

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 550mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB4045CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTLHM3

частка акцыі: 51640

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30CTQ035STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035STRRHM3

частка акцыі: 51070

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MURB1620CT-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CT-1HM3

частка акцыі: 71187

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 975mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-VSKD270-16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKD270-16PBF

частка акцыі: 469

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 1600V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 135A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30CTQ035S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ035S-M3

частка акцыі: 86458

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-16CTQ080HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080HN3

частка акцыі: 69311

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB1545CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1545CTL-M3

частка акцыі: 86132

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 7.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 570mV @ 7.5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6CWH02FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWH02FNTR-M3

частка акцыі: 126365

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 1.2V @ 6A, Хуткасць: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў