Menu
БеларусьБеларусь
RFQS / Заказ
0RFQS / Заказ

Дыёды - Выпрамнікі - Масівы

  • Дом
  •  
  • Дыёды - Выпрамнікі - Масівы
VS-MBRB2090CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTHM3

частка акцыі: 87641

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 90V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS8P6C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/87A

частка акцыі: 156747

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6CWQ10FNTRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRLHM3

частка акцыі: 81352

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 810mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-40L40CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CW-N3

частка акцыі: 11518

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS8P3C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3C-M3/87A

частка акцыі: 190422

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 580mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V10KM120DU-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

V10KM120DU-M3/H

частка акцыі: 164483

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 120V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 890mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4CHM3_A/H

частка акцыі: 156818

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB2080CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTHM3

частка акцыі: 87595

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS10P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CLHM3_A/I

частка акцыі: 123071

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-30CTQ045HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ045HN3

частка акцыі: 69836

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 620mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CWQ10FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRHM3

частка акцыі: 62726

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBR2080CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2080CT-1-M3

частка акцыі: 91755

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-47CTQ020STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-47CTQ020STRL-M3

частка акцыі: 56475

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 20A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 20A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBR2545CT-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR2545CT-1-M3

частка акцыі: 92087

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 820mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-16CTQ080STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080STRRHM3

частка акцыі: 75235

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 720mV @ 8A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS10P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P2CL-M3/87A

частка акцыі: 138730

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRD660CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD660CT-M3

частка акцыі: 183524

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CSH02-M3/87A

частка акцыі: 192637

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 940mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-MBRB2080CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CT-M3

частка акцыі: 93355

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 80V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 10A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 800mV @ 10A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CTQ035STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ035STRL-M3

частка акцыі: 89708

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 35V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 600mV @ 6A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
V8KM60DU-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

V8KM60DU-M3/I

частка акцыі: 190676

Канфігурацыя дыёда: 2 Independent, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 8A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 640mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS8P5C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P5C-M3/87A

частка акцыі: 145759

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 50V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 700mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS10P3CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CHM3_A/H

частка акцыі: 176174

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-25CTQ045STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25CTQ045STRL-M3

частка акцыі: 71588

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 45V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 560mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6CWQ03FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FN-M3

частка акцыі: 140136

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 30V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 450mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS6P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS6P4C-M3/86A

частка акцыі: 158835

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-4CSH02HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02HM3/87A

частка акцыі: 149715

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 200V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 2A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 2A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CWQ10FNTRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRRHM3

частка акцыі: 62699

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-6CWQ04FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FN-M3

частка акцыі: 195911

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3.5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 530mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
MBRF2560CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF2560CT/45

частка акцыі: 70124

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 60V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 750mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS10P2CLHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P2CLHM3_A/H

частка акцыі: 176123

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 20V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 5A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 520mV @ 5A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-8CSH01HM3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH01HM3/87A

частка акцыі: 103157

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-12CWQ04FNTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTR-M3

частка акцыі: 187431

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 6A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 680mV @ 12A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-32CTQ025STRRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRRHM3

частка акцыі: 52424

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 25V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 15A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 490mV @ 15A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
SS6P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS6P4C-M3/87A

частка акцыі: 143729

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Schottky, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 40V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 3A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 650mV @ 3A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў
VS-8CSH01-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CSH01-M3/87A

частка акцыі: 102185

Канфігурацыя дыёда: 1 Pair Common Cathode, Дыёдны тып: Standard, Напружанне - зваротны пастаянны ток (Vr) (макс.): 100V, Ток - Сярэдні выпраўлены (Іо) (на дыёд): 4A, Напружанне - наперад (Vf) (макс.) @ Калі: 950mV @ 4A, Хуткасць: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Ліст з жаданняў