Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя | Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы | 100

SUP90N15-18P-E3

частка акцыі: 1124

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 150V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI3407DV-T1-E3

частка акцыі: 1016

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI1433DH-T1-GE3

частка акцыі: 1063

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.9A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2.2A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUP40P10-43-GE3

частка акцыі: 1112

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 36A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 10A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SIE848DF-T1-E3

частка акцыі: 1064

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 60A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUD08P06-155L-E3

частка акцыі: 1047

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.4A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 5A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI5456DU-T1-GE3

частка акцыі: 971

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 12A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.3A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI7860ADP-T1-GE3

частка акцыі: 1095

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 16A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI7138DP-T1-GE3

частка акцыі: 6189

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 30A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 19.7A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI6466ADQ-T1-E3

частка акцыі: 1086

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.8A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 8.1A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

IRFR9310TRRPBF

частка акцыі: 1024

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 400V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.8A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1.1A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI5404BDC-T1-GE3

частка акцыі: 158530

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 5.4A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4886DY-T1-GE3

частка акцыі: 6200

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI2323DS-T1

частка акцыі: 887

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 3.7A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4362BDY-T1-GE3

частка акцыі: 1012

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 29A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 19.8A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUD50N03-11-E3

частка акцыі: 1064

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 50A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 25A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUD40N02-08-E3

частка акцыі: 1145

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 40A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4324DY-T1-E3

частка акцыі: 1041

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 36A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

IRFR1N60ATRRPBF

частка акцыі: 1076

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 600V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 1.4A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 840mA, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4636DY-T1-E3

частка акцыі: 1027

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 17A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUD50N10-18P-E3

частка акцыі: 1088

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 8.2A (Ta), 50A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI8475EDB-T1-E1

частка акцыі: 152943

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 1A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4324DY-T1-GE3

частка акцыі: 1085

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 36A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4487DY-T1-GE3

частка акцыі: 113240

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 11.6A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5 mOhm @ 10A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4406DY-T1-GE3

частка акцыі: 1063

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUP90N08-7M7P-E3

частка акцыі: 1127

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 75V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUD50N03-16P-E3

частка акцыі: 1090

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUV85N10-10-E3

частка акцыі: 1149

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 100V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 85A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4470EY-T1-GE3

частка акцыі: 947

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 60V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4886DY-T1-E3

частка акцыі: 1086

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 9.5A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4660DY-T1-E3

частка акцыі: 1105

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 25V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 23.1A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI1031X-T1-E3

частка акцыі: 1023

Тып FET: P-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 20V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 155mA (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI5406DC-T1-GE3

частка акцыі: 1031

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 12V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 6.9A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI4858DY-T1-E3

частка акцыі: 1097

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 13A (Ta), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.25 mOhm @ 20A, 10V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SI1450DH-T1-GE3

частка акцыі: 1050

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 8V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 4.53A (Ta), 6.04A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V,

Ліст з жаданняў

Vishay Siliconix

SUP90N03-03-E3

частка акцыі: 1067

Тып FET: N-Channel, Тэхналогія: MOSFET (Metal Oxide), Адток да крыніцы напружання (Vdss): 30V, Ток - бесперапынны сцёк (Id) пры тэмпературы 25 ° C: 90A (Tc), Прываднае напружанне (максімальная чырвоная сігналізацыя ўключана, мінімальная чырвоная сігналізацыя ўключана): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 28.8A, 10V,

Ліст з жаданняў