Памяць | Інтэгральныя схемы (ІС) | 3

TC58NVG0S3HBAI4

частка акцыі: 31647

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTA00

частка акцыі: 1188

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG0S3HBAI6

частка акцыі: 2187

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4

частка акцыі: 31568

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

частка акцыі: 33157

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTA00

частка акцыі: 33183

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў