Памяць | Інтэгральныя схемы (ІС) | 3

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8T1T83BAIR

частка акцыі: 1029

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 2Tb (256G x 8),

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8T0T43BAIR

частка акцыі: 163

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 1Tb (128G x 8),

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTA20

частка акцыі: 2067

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 32Gb (4G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G9T43BAIR

частка акцыі: 113

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 512Gb (64G x 8),

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C4LBAIR

частка акцыі: 3103

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 512Gb (64G x 8), Часавая частата: 52MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG5S0FTAK0

частка акцыі: 618

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 32Gb (4G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C2LBAIL

частка акцыі: 689

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8), Часавая частата: 52MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G8T23BAIL

частка акцыі: 353

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8),

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTAK0

частка акцыі: 8052

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 16Gb (2G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTA20

частка акцыі: 4752

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 16Gb (2G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C4LBAWR

частка акцыі: 2327

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 256Gb (32G x 8), Часавая частата: 52MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C2LBAWR

частка акцыі: 4451

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 128Gb (16G x 8), Часавая частата: 52MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C8LBAWG

частка акцыі: 1222

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 512Gb (64G x 8), Часавая частата: 52MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG2S0HQAIE

частка акцыі: 1601

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 4Gb (512M x 8), Часавая частата: 104MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HQAIE

частка акцыі: 1534

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Часавая частата: 104MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG0S3HQAIE

частка акцыі: 1591

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 1Gb (128M x 8), Часавая частата: 104MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAWL

частка акцыі: 6485

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 64Gb (8G x 8), Часавая частата: 52MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0FTA20

частка акцыі: 4065

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 16Gb (2G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG3S0HBAI6

частка акцыі: 9512

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTAI0

частка акцыі: 686

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HBAI4

частка акцыі: 1370

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETAI0

частка акцыі: 8211

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 2Gb (256M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG3S0FTA00

частка акцыі: 6211

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0FTA00

частка акцыі: 9423

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 4Gb (512M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETA00

частка акцыі: 8245

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 2Gb (256M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C1LBAIL

частка акцыі: 8087

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 128Gb (16G x 8), Часавая частата: 52MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HTAI0

частка акцыі: 1148

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG3S0HTA00

частка акцыі: 3722

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG3S0HBAI6

частка акцыі: 3593

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG3S0HTA00

частка акцыі: 923

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 8Gb (1G x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAIL

частка акцыі: 777

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND, Памер памяці: 64Gb (8G x 8), Часавая частата: 52MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HBAI4

частка акцыі: 8683

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 4Gb (512M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58BYG2S3HBAI4

частка акцыі: 1345

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 4Gb (512M x 8),

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TH58NYG2S3HBAI4

частка акцыі: 1400

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 4Gb (512M x 8), Напісаць час цыкла - слова, старонка: 25ns,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG2S0HRAIG

частка акцыі: 5315

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 4Gb (512M x 8), Часавая частата: 104MHz,

Ліст з жаданняў

Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG1S3HRAIG

частка акцыі: 1907

Тып памяці: Non-Volatile, Фармат памяці: FLASH, Тэхналогія: FLASH - NAND (SLC), Памер памяці: 2Gb (256M x 8), Часавая частата: 104MHz,

Ліст з жаданняў