Рэзістары на шасі

HVR50D5M0K

HVR50D5M0K

частка акцыі: 226

Супраціўленне: 5 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT150039RJJ

CJT150039RJJ

частка акцыі: 549

Супраціўленне: 39 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

CJT15001R5JJ

CJT15001R5JJ

частка акцыі: 595

Супраціўленне: 1.5 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR50D300KJ

HVR50D300KJ

частка акцыі: 177

Супраціўленне: 300 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT150082RJJ

CJT150082RJJ

частка акцыі: 542

Супраціўленне: 82 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

CJT1500470RJJ

CJT1500470RJJ

частка акцыі: 584

Супраціўленне: 470 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR50D50MK

HVR50D50MK

частка акцыі: 192

Супраціўленне: 50 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

HVR30B82MF

HVR30B82MF

частка акцыі: 481

Супраціўленне: 82 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 50W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

HVR50B50MK

HVR50B50MK

частка акцыі: 249

Супраціўленне: 50 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT15001K2JJ

CJT15001K2JJ

частка акцыі: 627

Супраціўленне: 1.2 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR30D100MK

HVR30D100MK

частка акцыі: 267

Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 50W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CFH500A2R2J

CFH500A2R2J

частка акцыі: 242

Супраціўленне: 2.2 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1000W, Склад: Wirewound,

CJT15008R2JJ

CJT15008R2JJ

частка акцыі: 596

Супраціўленне: 8.2 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR50D7M5F

HVR50D7M5F

частка акцыі: 225

Супраціўленне: 7.5 MOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT15005R6JJ

CJT15005R6JJ

частка акцыі: 569

Супраціўленне: 5.6 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

CFH350A22RJ

CFH350A22RJ

частка акцыі: 250

Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 750W, Склад: Wirewound,

CJT150056RJJ

CJT150056RJJ

частка акцыі: 606

Супраціўленне: 56 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR30B8M4J

HVR30B8M4J

частка акцыі: 486

Супраціўленне: 8.4 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 50W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

HVR50D82M5J

HVR50D82M5J

частка акцыі: 167

Супраціўленне: 82.5 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT15001K0JJ

CJT15001K0JJ

частка акцыі: 562

Супраціўленне: 1 kOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

CJT150015RJJ

CJT150015RJJ

частка акцыі: 569

Супраціўленне: 15 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

CJT150022RJJ

CJT150022RJJ

частка акцыі: 560

Супраціўленне: 22 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR50D100MK

HVR50D100MK

частка акцыі: 168

Супраціўленне: 100 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT15006R8JJ

CJT15006R8JJ

частка акцыі: 584

Супраціўленне: 6.8 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR50D10MK

HVR50D10MK

частка акцыі: 224

Супраціўленне: 10 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

HVR30B500KF

HVR30B500KF

частка акцыі: 504

Супраціўленне: 500 kOhms, Талерантнасць: ±1%, Магутнасць (Вт): 50W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT15003R3JJ

CJT15003R3JJ

частка акцыі: 547

Супраціўленне: 3.3 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

CJT15001R2JJ

CJT15001R2JJ

частка акцыі: 571

Супраціўленне: 1.2 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

CJT1500120RJJ

CJT1500120RJJ

частка акцыі: 628

Супраціўленне: 120 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR50D30MK

HVR50D30MK

частка акцыі: 160

Супраціўленне: 30 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT1500180RJJ

CJT1500180RJJ

частка акцыі: 597

Супраціўленне: 180 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,

HVR50D82M5K

HVR50D82M5K

частка акцыі: 212

Супраціўленне: 82.5 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 100W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

HVR30C15MJ

HVR30C15MJ

частка акцыі: 414

Супраціўленне: 15 MOhms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 50W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

HVR30D50MK

HVR30D50MK

частка акцыі: 332

Супраціўленне: 50 MOhms, Талерантнасць: ±10%, Магутнасць (Вт): 50W, Склад: Thick Film, Тэмпературны каэфіцыент: ±300ppm/°C,

CJT15003R9JJ

CJT15003R9JJ

частка акцыі: 583

Супраціўленне: 3.9 Ohms, Талерантнасць: ±5%, Магутнасць (Вт): 1500W, Склад: Wirewound, Тэмпературны каэфіцыент: ±440ppm/°C,